| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 SiC增强Al基复合材料概述 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC/Al界面及界面产物研究背景及现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文选题意义和目的 | 第12页 |
| 1.4 本论文研究的思路与方法 | 第12-14页 |
| 第二章 第一性原理 | 第14-21页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-20页 |
| 2.1.1 多电子体系薛定谔方程 | 第14-15页 |
| 2.1.2 两个近似 | 第15-16页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham定理 | 第17页 |
| 2.1.5 交换-关联泛函 | 第17-18页 |
| 2.1.6 平面波及赝势方法 | 第18-20页 |
| 2.2 优化参数 | 第20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 MgAl_2O_4块体性质 | 第21-24页 |
| 3.1 块体结构 | 第21-22页 |
| 3.2 块体电子结构 | 第22-23页 |
| 3.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第四章 MgAl_2O_4(111)不同终端表面的电子性质及稳定性 | 第24-37页 |
| 4.1 表面模型 | 第24-25页 |
| 4.2 表面弛豫 | 第25-28页 |
| 4.3 表面能 | 第28-29页 |
| 4.4 表面巨势 | 第29-32页 |
| 4.5 表面电子结构 | 第32-36页 |
| 4.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 SiC(0001)/MgAl_2O_4(111)界面电子性质及稳定性 | 第37-48页 |
| 5.1 界面结构 | 第37-40页 |
| 5.2 界面分离功 | 第40-42页 |
| 5.3 界面弛豫 | 第42-43页 |
| 5.4 界面电子结构 | 第43-47页 |
| 5.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 Al(001)/MgAl_2O_4(001)界面电子性质及稳定性 | 第48-56页 |
| 6.1 界面结构搭建 | 第48-49页 |
| 6.2 界面分离功 | 第49-51页 |
| 6.3 界面弛豫 | 第51-52页 |
| 6.4 界面电子结构 | 第52-55页 |
| 6.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67页 |
