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Tb氟化物及半导体发光材料的制备、结构及光谱特性研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第8-34页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 稀土发光材料的简介第9-23页
        1.2.1 稀土发光材料的分类第9-13页
        1.2.2 稀土发光材料的发光原理第13-16页
        1.2.3 稀土发光材料的合成方法第16-21页
        1.2.4 稀土发光材料的主要应用第21-23页
    1.3 半导体发光材料的简介第23-26页
        1.3.1 半导体发光材料的分类第24-25页
        1.3.2 半导体发光材料的发光原理第25页
        1.3.3 半导体发光材料的研究现状第25-26页
    1.4 本论文的主要研究工作第26-27页
    1.5 参考文献第27-34页
第2章 实验内容及表征第34-38页
    2.1 实验试剂和合成设备第34-35页
        2.1.1 实验试剂第34页
        2.1.2 合成设备第34-35页
    2.2 样品制备流程第35页
        2.2.1 固相法第35页
        2.2.2 室温共沉淀法第35页
        2.2.3 水热法第35页
    2.3 样品的测试及表征第35-38页
        2.3.1 X射线衍射仪(XRD)第35页
        2.3.2 场发射扫描电镜(FE-SEM)第35页
        2.3.3 X射线能量散射谱(EDS)第35-36页
        2.3.4 透射电子显微镜(TEM)第36页
        2.3.5 高分辨透射电子电镜(HRTEM)第36页
        2.3.6 下转换激发(Excitation)光谱和发射(Emission)光谱第36页
        2.3.7 荧光寿命(Luminescence Decays)第36页
        2.3.8 原子发射光谱(ICP-AES)第36-38页
第3章 Tb氟化物的制备及其性能表征第38-68页
    3.1 不同制备方法合成NaTbF_4及其性质研究第38-42页
        3.1.1 引言第38页
        3.1.2 实验部分第38-39页
        3.1.3 结果与讨论第39-42页
        3.1.4 小结第42页
    3.2 水热合成Tb氟化物的形貌调控第42-52页
        3.2.1 引言第42页
        3.2.2 实验部分第42-43页
        3.2.3 结果与讨论第43-51页
        3.2.4 形成机理第51-52页
        3.2.5 结论第52页
    3.3 基于能量传递的NaTbF_4:Eu~(3+)的制备及其发光特性研究第52-61页
        3.3.1 引言第52-53页
        3.3.2 实验部分第53页
        3.3.3 结果与讨论第53-61页
    3.4 小结第61-62页
    3.5 参考文献第62-68页
第4章 In_2O_3/ InOOH/ In(OH)_3纳米晶的制备及其性能表征第68-78页
    4.1 引言第68-69页
    4.2 样品制备第69-70页
    4.3 结果与讨论第70-75页
        4.3.1 物相第70-71页
        4.3.2 形貌和结构第71-73页
        4.3.3 生长机理第73-74页
        4.3.4 发光性质第74-75页
    4.4 小结第75页
    4.5 参考文献第75-78页
第5章 总结第78-80页
硕士期间发表学术论文情况第80-82页
致谢第82-83页

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