基于SISL低相噪压控振荡器的研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 板级低相噪VCO发展现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 VCO基本理论 | 第16-32页 |
| 2.1 振荡器基本原理 | 第16-22页 |
| 2.1.1 振荡器反馈模型 | 第16-20页 |
| 2.1.2 振荡器负阻模型 | 第20-22页 |
| 2.2 VCO性能参数 | 第22-24页 |
| 2.3 VCO相位噪声分析 | 第24-31页 |
| 2.3.1 相位噪声的概述 | 第24-27页 |
| 2.3.2 相位噪声模型 | 第27-31页 |
| 2.3.2.1 Leeson相位噪声模型 | 第28-30页 |
| 2.3.2.2 降低相位噪声的措施 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 新型介质集成悬置线 | 第32-37页 |
| 3.1 传统波导悬置线 | 第32-33页 |
| 3.2 新型介质集成悬置线 | 第33-36页 |
| 3.2.1 SISL结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2 SISL的优点 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于SISL的低相噪VCO设计 | 第37-57页 |
| 4.1 SISL低相噪VCO的设计指标及板材 | 第37页 |
| 4.1.1 SISL低相噪VCO设计指标 | 第37页 |
| 4.1.2 SISL板材 | 第37页 |
| 4.2 拓扑结构的选取 | 第37-39页 |
| 4.3 器件的选取及有源电路设计 | 第39-46页 |
| 4.3.1 晶体管的选取 | 第39-40页 |
| 4.3.2 变容二极管的选取 | 第40-41页 |
| 4.3.3 直流偏置电路设计 | 第41-44页 |
| 4.3.4 负阻电路设计 | 第44-46页 |
| 4.4 SISL谐振器的设计 | 第46-47页 |
| 4.5 SISL低相噪VCO电路的设计 | 第47-52页 |
| 4.5.1 原理图设计 | 第47-51页 |
| 4.5.2 版图设计 | 第51-52页 |
| 4.6 SISL低相噪VCO加工测试结果 | 第52-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 SISL低相噪振荡器设计 | 第57-65页 |
| 5.1 拓扑结构的选择 | 第57页 |
| 5.2 SISL低相噪振荡器有源电路设计 | 第57-59页 |
| 5.3 SISL谐振器的设计 | 第59-61页 |
| 5.4 SISL低相噪振荡器的设计 | 第61-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第72-73页 |
