| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第9-16页 |
| 1.1 纳米科技 | 第9-11页 |
| 1.2 低维纳米结构的制备与表征 | 第11-12页 |
| 1.3 纳米团簇 | 第12-13页 |
| 1.4 薄膜生长理论 | 第13-15页 |
| 1.5 本论文的结构与安排 | 第15-16页 |
| 第2章 实验技术及原理 | 第16-31页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第16-20页 |
| 2.1.1 真空定义 | 第16-17页 |
| 2.1.2 超高真空的获得 | 第17-19页 |
| 2.1.3 超高真空的测量 | 第19-20页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第20-22页 |
| 2.3 低温技术 | 第22-23页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜 | 第23-30页 |
| 2.4.1 扫描隧道显微镜的基本原理 | 第23-25页 |
| 2.4.2 扫描隧道显微镜的工作模式 | 第25页 |
| 2.4.3 扫描隧道谱（STS） | 第25-26页 |
| 2.4.4 针尖的制备与清洁 | 第26-27页 |
| 2.4.5 扫描隧道显微镜基本构造 | 第27-30页 |
| 2.5 实验仪器介绍 | 第30-31页 |
| 第3章 在Si(111)-7×7 表面上自组装生长Cd纳米团簇阵列 | 第31-40页 |
| 3.1 背景介绍 | 第31-32页 |
| 3.2 实验部分 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-38页 |
| 3.3.1 Si(111)-7×7 重构表面的DAS模型 | 第33-34页 |
| 3.3.2 室温沉积 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Cd纳米团簇的稳定结构和电子性质 | 第35-38页 |
| 3.3.4 二维Cd纳米团簇阵列的制备 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第49页 |