| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光通信网络与光学器件 | 第9-10页 |
| 1.3 光开关技术简介及其研究进展 | 第10-15页 |
| 1.3.1 光开关概述 | 第10页 |
| 1.3.2 常见光开关的种类及其工作原理 | 第10-14页 |
| 1.3.3 光开关的性能参数及关键指标 | 第14-15页 |
| 1.3.4 光开关的应用领域 | 第15页 |
| 1.4 高速光开关的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第16-17页 |
| 第2章 载流子注入型InP/InGaAsP基MMI光开关原理分析 | 第17-33页 |
| 2.1 多模干涉成像原理简介 | 第17-26页 |
| 2.1.1 多模干涉自映像效应（导模传输分析法） | 第17-19页 |
| 2.1.2 多模干涉成像分析 | 第19-22页 |
| 2.1.3 多模干涉型器件应用 | 第22-24页 |
| 2.1.4 多模干涉型（MMI）光开关的调制方式 | 第24-26页 |
| 2.2 InP/InGaAsP（P-I-N）电光特性分析 | 第26-27页 |
| 2.3 载流子注入效应 | 第27-30页 |
| 2.3.1 能带填充效应（Band filling） | 第28页 |
| 2.3.2 带隙收缩效应（Band-gap renormalization) | 第28页 |
| 2.3.3 自由载流子吸收效应(Free carriers absorption effect) | 第28-29页 |
| 2.3.4 联合效应 | 第29-30页 |
| 2.4 载流子注入型InP/InGaAsP基MMI光开关电光调制基本原理 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 载流子注入型InP/InGaAsP基 3×3 MMI光开关的设计及优化 | 第33-45页 |
| 3.1 单模脊波导设计 | 第33-34页 |
| 3.2 多模波导区域参数设计及优化 | 第34-37页 |
| 3.3 电极调制区域参数设计及优化 | 第37-42页 |
| 3.3.1 电极尺寸设计 | 第39-40页 |
| 3.3.2 确定光开关电压 | 第40-42页 |
| 3.4 InP/InGaAsP基 3×3 MMI电光开关特性仿真分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 3×3 MMI光开关器件制备及测量 | 第45-57页 |
| 4.1 器件结构设计及制备工艺 | 第45-50页 |
| 4.1.1 器件掩膜版优化设计 | 第46-47页 |
| 4.1.2 光开关工艺制备流程 | 第47-50页 |
| 4.2 电极设计及制备工艺 | 第50-52页 |
| 4.2.1 改进后电极 | 第51-52页 |
| 4.3 3×3 MMI光开关实验测量 | 第52-54页 |
| 4.3.1 端面耦合法器件测试装置简介 | 第52-53页 |
| 4.3.2 测量结果 | 第53-54页 |
| 4.4 工艺总结 | 第54-57页 |
| 总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
