| 中文摘要 | 第10-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 自旋电子学的分类 | 第13-14页 |
| 1.2.1 磁电子学 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体自旋电子学 | 第14页 |
| 1.3 自旋晶体管模型 | 第14-16页 |
| 1.3.1 Datta-Das自旋场效应晶体管 | 第14-15页 |
| 1.3.2 磁双极型自旋晶体管 | 第15-16页 |
| 1.3.3 自旋极化注入电流发射极晶体管 | 第16页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 半导体中的自旋动力学过程 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 自旋极化的注入 | 第17-19页 |
| 2.2.1 光学注入方法 | 第17-18页 |
| 2.2.2 电学注入方法 | 第18-19页 |
| 2.3 自旋极化的探测 | 第19-20页 |
| 2.3.1 光学方法探测 | 第19-20页 |
| 2.3.2 电学方法探测 | 第20页 |
| 2.4 自旋弛豫机制 | 第20-21页 |
| 2.4.1 Elliott-Yafet（EY）机制 | 第21页 |
| 2.4.2 Dyakonov-Perel'（DP）机制 | 第21页 |
| 2.4.3 Bir-Aronov-Pikus（BAP）机制 | 第21页 |
| 2.5 自旋扩散动力学 | 第21-23页 |
| 2.6 GaAs及其量子阱的结构性质 | 第23-27页 |
| 2.6.1 GaAs晶格结构 | 第23-24页 |
| 2.6.2 GaAs电子能带结构和性质 | 第24页 |
| 2.6.3 GaAs/(Al,Ga)As量子阱结构 | 第24-25页 |
| 2.6.4 (110)-GaAs量子阱样品介绍 | 第25-27页 |
| 第三章 实验技术及模拟手段 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 泵浦-探测技术 | 第27-28页 |
| 3.3 磁光克尔效应 | 第28-30页 |
| 3.4 时间分辨的克尔旋转光谱 | 第30-31页 |
| 3.5 自旋探测机制 | 第31-32页 |
| 3.6 实验装置概述 | 第32-33页 |
| 3.7 COMSOL Multiphysics及其模型构建 | 第33-35页 |
| 3.7.1 有限元方法 | 第33-34页 |
| 3.7.2 COMSOL Multiphysics简介 | 第34页 |
| 3.7.3 COMSOL Multiphysics模拟步骤 | 第34-35页 |
| 第四章 (110)-GaAs量子阱中自旋扩散动力学的研究 | 第35-45页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 实验研究结果 | 第35-38页 |
| 4.3 数值模拟结果 | 第38-42页 |
| 4.4 实验与模拟结果的比较和分析 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-45页 |
| 第五章 总结和展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 个人简况及联系方式 | 第59-60页 |
