| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 二维材料的研究背景与进展 | 第8-9页 |
| 1.2 层状过渡金属二硫化物的概述 | 第9-11页 |
| 1.3 单层MOS_2的结构和性质 | 第11-12页 |
| 1.4 单层MOS_2的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 单层MOS_2的热电性质 | 第14-16页 |
| 1.6 本论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 计算方法及理论 | 第17-26页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第17-19页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 2.3 赝势 | 第20-21页 |
| 2.4 热电输运性质 | 第21-23页 |
| 2.5 本文所使用的软件程序包 | 第23-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 单层MOS_2掺杂氢原子的第一性原理研究 | 第26-40页 |
| 3.1 单层MOS_2的几何结构和电子结构 | 第26-29页 |
| 3.1.1 单层MOS_2的收敛测试和几何结构优化 | 第26-28页 |
| 3.1.2 单层MOS_2的电子结构 | 第28-29页 |
| 3.2 单层MOS_2掺杂氢原子的稳定性和几何结构 | 第29-34页 |
| 3.3 单层MOS_2掺杂氢原子的电子结构 | 第34-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 单层MOS_2热电性质的第一性原理研究 | 第40-44页 |
| 4.1 单层MOS_2的声子谱 | 第40-41页 |
| 4.2 单层MOS_2的热电性质 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第56页 |