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MLC型NAND闪存中Polar码的编译码研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-14页
第一章 绪论第14-22页
    1.1 研究背景及发展前景第14-15页
    1.2 常见的信道模型第15-17页
        1.2.1 BEC信道第16页
        1.2.2 BSC信道第16-17页
        1.2.3 BI-AWGN信道第17页
    1.3 国内外研究现状第17-19页
        1.3.1 Polar码的研究现状第17-18页
        1.3.2 MLC型NAND闪存的相关研究第18-19页
    1.4 研究意义与应用前景第19-20页
    1.5 本文主要研究工作和内容安排第20-22页
第二章 MLC型NAND闪存概述第22-34页
    2.1 闪存的类型第22-25页
        2.1.1 NOR和NAND闪存第22-23页
        2.1.2 单级和多级闪存第23-25页
    2.2 MLC型NAND闪存的操作模型第25-27页
    2.3 MLC型NAND闪存的错误类型第27-33页
        2.3.1 数据保持错误第29-30页
        2.3.2 编程干扰错误第30-32页
        2.3.3 读取错误第32页
        2.3.4 擦除错误第32-33页
        2.3.5 四种错误类型的总结第33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 信道极化及Polar码编译码方法研究第34-50页
    3.1 信道极化第34-39页
        3.1.1 基础概念第34-35页
        3.1.2 信道的组合、拆分和极化第35-39页
    3.2 Polar码编码第39-43页
        3.2.1 G_N的计算第39-40页
        3.2.2 分析位索引第40-41页
        3.2.3 编码复杂度第41-43页
    3.3 串行抵消译码算法第43-44页
    3.4 Polar码的编译码在信道下的实现第44-48页
        3.4.1 BEC信道仿真实现第45-46页
        3.4.2 BSC信道仿真实现第46-47页
        3.4.3 BI-AWGN信道仿真实现第47-48页
    3.5 本章小结第48-50页
第四章 面向MLC型NAND闪存的Polar码编译码方法第50-62页
    4.1 P/E循环下的闪存单元阈值电压分布第50-51页
    4.2 闪存模型第51-55页
        4.2.1 利用硬感知和软感知技术读取MLC第51-53页
        4.2.2 级联噪声信道模型第53-55页
    4.3 系统Polar码与缩短Polar码第55-59页
        4.3.1 系统Polar码第55-57页
        4.3.2 缩短Polar码第57-59页
    4.4 仿真结果及性能分析第59-60页
    4.5 本章小结第60-62页
结束语第62-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-70页
作者简介第70-71页

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