| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-26页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 高纯二氧化硅 | 第12-16页 |
| 1.2.1 国内外生产现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 气相法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 沉淀法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 溶胶—凝胶法 | 第15页 |
| 1.2.5 非金属矿法 | 第15-16页 |
| 1.3 高纯二氧化硅提纯工艺 | 第16-17页 |
| 1.3.1 由硅石提纯制备高纯二氧化硅 | 第16-17页 |
| 1.3.2 人工合成法提纯工艺 | 第17页 |
| 1.4 高纯二氧化硅用途 | 第17-19页 |
| 1.4.1 电子工业领域 | 第17-18页 |
| 1.4.2 光伏工业领域 | 第18页 |
| 1.4.3 橡胶领域 | 第18页 |
| 1.4.4 塑料领域 | 第18页 |
| 1.4.5 医药及化妆品领域 | 第18-19页 |
| 1.5 氟硅酸性质和应用 | 第19-25页 |
| 1.5.1 制备氟硅酸盐 | 第19-21页 |
| 1.5.2 制备氟盐 | 第21-23页 |
| 1.5.3 制备氟化氢 | 第23页 |
| 1.5.4 四氟化硅 | 第23-24页 |
| 1.5.5 制备二氧化硅 | 第24-25页 |
| 1.6 课题研究目标和创新之处 | 第25-26页 |
| 1.6.1 课题的研究内容 | 第25页 |
| 1.6.2 研究目标 | 第25页 |
| 1.6.3 课题的创新之处 | 第25-26页 |
| 第二章 实验工艺流程 | 第26-28页 |
| 2.1 实验工艺 | 第26页 |
| 2.2 工艺流程 | 第26-27页 |
| 2.3 实验步骤 | 第27-28页 |
| 第三章 氨化反应制备氟硅酸铵 | 第28-37页 |
| 3.1 原料及试剂仪器 | 第28-29页 |
| 3.2 实验方法 | 第29页 |
| 3.3 实验装置 | 第29-30页 |
| 3.4 分析测试方法 | 第30-31页 |
| 3.4.1 氟硅酸含量测定 | 第30页 |
| 3.4.2 氟硅酸铵得率测定 | 第30-31页 |
| 3.4.3 氟硅酸转化率 | 第31页 |
| 3.5 实验数据分析 | 第31-35页 |
| 3.5.1 终点p H值的确定 | 第31-33页 |
| 3.5.2 氨水滴加速度的影响 | 第33-34页 |
| 3.5.3 反应温度的影响 | 第34页 |
| 3.5.4 搅拌速度的影响 | 第34-35页 |
| 3.6 验证实验 | 第35-36页 |
| 3.7 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 铵盐钙盐除杂 | 第37-46页 |
| 4.1 实验试剂和仪器 | 第37-38页 |
| 4.2 实验方法 | 第38页 |
| 4.3 实验装置 | 第38-39页 |
| 4.4 分析方法 | 第39页 |
| 4.5 除杂 | 第39-40页 |
| 4.5.1 工艺 | 第39页 |
| 4.5.2 添加剂和沉淀剂的设计 | 第39-40页 |
| 4.6 单因素试验 | 第40-45页 |
| 4.6.1 铵盐除杂 | 第40-41页 |
| 4.6.2 钙盐除杂 | 第41-42页 |
| 4.6.3 钙盐添加量对除杂的影响 | 第42-43页 |
| 4.6.4 陈化时间的影响 | 第43-44页 |
| 4.6.5 静置时间的影响 | 第44-45页 |
| 4.6.6 高纯氟硅酸铵 | 第45页 |
| 4.7 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 高纯二氧化硅的制备 | 第46-60页 |
| 5.1 实验试剂与仪器 | 第46-47页 |
| 5.2 实验装置 | 第47页 |
| 5.3 实验方法 | 第47-48页 |
| 5.4 检测方法 | 第48-49页 |
| 5.4.1 金属杂质含量测定 | 第48页 |
| 5.4.2 DBP值测定 | 第48页 |
| 5.4.3 二氧化硅得率 | 第48页 |
| 5.4.4 X射线衍射分析 | 第48-49页 |
| 5.4.5 热失重分析 | 第49页 |
| 5.4.6 扫描电镜表征 | 第49页 |
| 5.4.7 红外光谱（IR）检测 | 第49页 |
| 5.4.8 粒度分析 | 第49页 |
| 5.5 实验数据分析 | 第49-55页 |
| 5.5.1 添加钙盐对SiO_2纯度的影响 | 第49-50页 |
| 5.5.2 钙盐添加量对SiO_2纯度的影响 | 第50-51页 |
| 5.5.3 原料H2Si F6浓度对SiO_2纯度的影响 | 第51页 |
| 5.5.4 终点p H值的影响 | 第51-52页 |
| 5.5.5 反应温度的影响 | 第52-53页 |
| 5.5.6 氨水滴加速度的影响 | 第53-54页 |
| 5.5.7 洗涤和过滤 | 第54页 |
| 5.5.8 煅烧 | 第54-55页 |
| 5.6 样品检测 | 第55-59页 |
| 5.6.1 样品SiO_2纯度 | 第55页 |
| 5.6.2 XRD衍射分析 | 第55页 |
| 5.6.3 热重分析 | 第55-56页 |
| 5.6.4 样品SiO_2的SEM分析 | 第56-57页 |
| 5.6.5 红外光谱（IR）分析 | 第57页 |
| 5.6.6 粒度分析 | 第57-58页 |
| 5.6.7 副产品氟化铵的XRD图 | 第58-59页 |
| 5.7 小结 | 第59-60页 |
| 第六章 高纯SiO_2晶化过程研究 | 第60-69页 |
| 6.1 设备仪器和试剂 | 第60页 |
| 6.2 实验方法 | 第60-61页 |
| 6.3 检测方法 | 第61-62页 |
| 6.3.1 X射线衍射分析 | 第61页 |
| 6.3.2 红外光谱分析 | 第61页 |
| 6.3.3 扫描电镜 | 第61页 |
| 6.3.4 粒度分析 | 第61-62页 |
| 6.4 实验结果与讨论 | 第62-67页 |
| 6.4.1 X射线衍射分析 | 第62页 |
| 6.4.2 煅烧温度对高纯SiO_2晶化的影响 | 第62-64页 |
| 6.4.3 保温时间对高纯SiO_2晶化的影响 | 第64页 |
| 6.4.4 煅烧温度对高纯SiO_2体积的影响 | 第64-66页 |
| 6.4.5 高温煅烧后的高纯SiO_2表面形态 | 第66-67页 |
| 6.4.6 粒度分析 | 第67页 |
| 6.5 小结 | 第67-69页 |
| 第七章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 7.1 结论 | 第69-70页 |
| 7.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 硕士学位期间的研究成果 | 第75页 |