| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题的背景 | 第8-9页 |
| ·摩尔定律 | 第8-9页 |
| ·基辛格规则 | 第9页 |
| ·存储器的分类 | 第9-11页 |
| ·国内外的存储器发展 | 第11-12页 |
| ·本课题的研究内容及目标 | 第12-13页 |
| ·论文的章节结构 | 第13-14页 |
| 第二章 SRAM 框架和存储单元的设计与分析 | 第14-32页 |
| ·SRAM的基本框架 | 第14-19页 |
| ·控制电路分析 | 第15-16页 |
| ·译码器电路分析 | 第16-19页 |
| ·6管 SRAM 基本存储单元的分析 | 第19-28页 |
| ·SRAM 的工作原理 | 第19-22页 |
| ·SRAM 性能的分析 | 第22-28页 |
| ·不同存储单元的结构分析 | 第28-31页 |
| ·6T单元的设计 | 第28-29页 |
| ·8T单元的设计 | 第29页 |
| ·10T单元的设计 | 第29-30页 |
| ·5T单元的设计 | 第30页 |
| ·9T单元的设计 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 灵敏放大器的设计与分析 | 第32-37页 |
| ·电流镜型灵敏放大器的设计 | 第32-33页 |
| ·交叉耦合型灵敏放大器的设计 | 第33页 |
| ·锁存型灵敏放大器的设计 | 第33-36页 |
| ·反相器分析 | 第33-35页 |
| ·锁存型灵敏放大器分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 失调电压的分析计算以及电路的仿真验证 | 第37-48页 |
| ·HSPICE 仿真软件简介 | 第37-38页 |
| ·失配的工艺原因以及 Monte Carlo 分析方法 | 第38-39页 |
| ·失配的工艺原因 | 第38-39页 |
| ·Monte Carlo 分析方法 | 第39页 |
| ·存储单元的仿真 | 第39-43页 |
| ·SAC的仿真 | 第43-45页 |
| ·扫描法测失调电压 | 第43-44页 |
| ·二分法测失调电压 | 第44页 |
| ·灵敏放大器的仿真数据 | 第44-45页 |
| ·最优化的失调电压 | 第45-47页 |
| ·全概率分析 | 第45-46页 |
| ·Matlab 数值分析 | 第46页 |
| ·与传统分析比较 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-49页 |
| ·本文的总结 | 第48页 |
| ·今后的展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 附录 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |