TGZO透明导电薄膜的制备及其光电性能研究
| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第1章 文献综述 | 第12-23页 |
| ·半导体薄膜材料 | 第12-14页 |
| ·透明导电氧化物薄膜材料 | 第14-15页 |
| ·ZnO 基透明导电薄膜材料 | 第15-17页 |
| ·透明导电薄膜的制备技术 | 第17-19页 |
| ·选题及研究内容 | 第19-23页 |
| ·研究背景及现状 | 第19-21页 |
| ·选题意义 | 第21-22页 |
| ·本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 第2章 实验原理、薄膜制备及测试 | 第23-33页 |
| ·实验原理 | 第23-26页 |
| ·射频磁控溅射技术简介 | 第23-25页 |
| ·磁控溅射镀膜的特点 | 第25-26页 |
| ·实验过程 | 第26-27页 |
| ·衬底处理 | 第26-27页 |
| ·薄膜制备 | 第27页 |
| ·性能表征 | 第27-32页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第27-29页 |
| ·X 射线光电子能谱仪（XPS） | 第29页 |
| ·紫外-可见光分光光度计 | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第30-31页 |
| ·四探针仪 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 薄膜光学常数和厚度反演程序设计 | 第33-53页 |
| ·薄膜光学常数和厚度的常用测量方法 | 第33-41页 |
| ·台阶仪和椭偏仪 | 第33-34页 |
| ·Swanepoel 法 | 第34-36页 |
| ·光谱拟合法 | 第36-41页 |
| ·透射光谱拟合法计算薄膜参数的实现 | 第41-45页 |
| ·拟合算法 | 第41-42页 |
| ·计算过程 | 第42-44页 |
| ·软件界面 | 第44-45页 |
| ·计算结果评估 | 第45-52页 |
| ·ZnO 系列薄膜的光学参数计算 | 第45-48页 |
| ·拟合求解过程 | 第48-49页 |
| ·包络法计算结果比较 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 二元掺杂 TGZO 薄膜性能研究 | 第53-80页 |
| ·溅射气压影响薄膜性能的研究 | 第53-62页 |
| ·薄膜的制备 | 第53页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第53-56页 |
| ·溅射气压对薄膜沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| ·溅射气压对薄膜光学性质的影响 | 第57-61页 |
| ·溅射气压对薄膜电学性质的影响 | 第61-62页 |
| ·衬底温度影响薄膜性能的研究 | 第62-67页 |
| ·薄膜的制备 | 第62-63页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第63-64页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性质的影响 | 第64-66页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性质的影响 | 第66-67页 |
| ·射频功率影响薄膜性能的研究 | 第67-72页 |
| ·薄膜的制备 | 第67页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第67-69页 |
| ·溅射功率对薄膜光学性质的影响 | 第69-71页 |
| ·溅射功率对薄膜电学性质的影响 | 第71-72页 |
| ·沉积时间影响薄膜性能的研究 | 第72-75页 |
| ·薄膜的制备 | 第72页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第72-73页 |
| ·厚度对薄膜光电性质的影响 | 第73-75页 |
| ·最佳工艺条件下 TGZO 薄膜的性能研究 | 第75-79页 |
| ·制备 TGZO 薄膜的最佳工艺条件 | 第75页 |
| ·TGZO 薄膜的制备 | 第75页 |
| ·TGZO 薄膜的微观结构和光电性能 | 第75-78页 |
| ·TGZO 薄膜的折射率色散性质 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 总结与展望 | 第80-82页 |
| ·总结 | 第80-81页 |
| ·展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第89-90页 |
