| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| ·III-族氮化物光电器件的潜在应用 | 第11页 |
| ·AlN 材料的性质及研究现状 | 第11-13页 |
| ·AlN 晶体结构特点 | 第13-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第2章 AlN 薄膜制备及表征 | 第19-39页 |
| ·AlN 薄膜制备 | 第19-21页 |
| ·薄膜极性面的极性生长行为 | 第19-20页 |
| ·AlN 薄膜制备 | 第20-21页 |
| ·AlN 薄膜的物相表征 | 第21-31页 |
| ·XRD 表征 | 第21-22页 |
| ·XRC 表征 | 第22-23页 |
| ·X 射线的Φ扫描 | 第23-26页 |
| ·AFM 表征 | 第26-27页 |
| ·SEM 表征 | 第27-28页 |
| ·Al-polar、N-polar AlN 薄膜截面原子排布 | 第28-30页 |
| ·Gatos.关于 III-V、II-VI 族化合物表面键和模式 | 第30-31页 |
| ·分析 Al-polar、N-polar AlN 薄膜稳定性和刻蚀速率不同 | 第31页 |
| ·Al-polar、N-polar AlN 薄膜光学性质 | 第31-35页 |
| ·Al-polar、N-polar AlN 薄膜光学透过分析 | 第32-34页 |
| ·Al-polar、N-polar AlN 薄膜 PL 特性 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第3章 Au/AlN/Si/Al 异质结制备及光电性能表征 | 第39-57页 |
| ·Si 衬底上择优生长 AlN 薄膜及其物相表征 | 第39-42页 |
| ·(100)、(111)Si 衬底上制备 AlN 薄膜 | 第39-40页 |
| ·Si 衬底上 AlN 薄膜 XRD 表征 | 第40-41页 |
| ·Si 衬底上 AlN 薄膜 SEM 表征 | 第41-42页 |
| ·Si 衬底上 AlN 薄膜 PL 特性 | 第42页 |
| ·AlN/Si 异质结的光电特性 | 第42-53页 |
| ·IV 特性 | 第44-47页 |
| ·阻抗特性 | 第47-52页 |
| ·EL 特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第4章 Au/AlN/MgO/Si/Al 结构制备及性能表征 | 第57-70页 |
| ·MgO 薄膜择优取向生长的探究 | 第57-62页 |
| ·探究衬底温度对 MgO 薄膜生长的影响 | 第57-59页 |
| ·探究激光能量对 MgO 薄膜生长的影响 | 第59-60页 |
| ·AlN/MgO/Si 结构制备 | 第60-62页 |
| ·AlN/MgO/Si 结构的光电性能 | 第62-69页 |
| ·Au/AlN/MgO/Si/Al 结构的 I-V 特性 | 第62-63页 |
| ·Au/AlN/MgO/Si/Al 结构的阻抗特性 | 第63-68页 |
| ·Au/AlN/MgO/Si 结构的 EL 特性 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 总结 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-76页 |
