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快速高稳定性九管SRAM单元电路研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-17页
   ·引言第7-9页
   ·静态随机存储器简介第9-15页
     ·半导体存储器的分类及特点第9-11页
     ·SRAM 系统的结构第11-15页
   ·论文结构第15-17页
第二章 传统 SRAM 单元电路介绍第17-27页
   ·六管 SRAM 存储单元电路的结构和读写操作第17-23页
     ·读操作第18-20页
     ·写操作第20-21页
     ·读写操作仿真预充电电路第21-22页
     ·读写操作仿真结果第22-23页
   ·四管 SRAM 存储单元电路的结构和读写操作第23-27页
第三章 新型 SRAM 单元电路第27-39页
   ·七管 SRAM 单元电路结构第27-29页
   ·双字线九管 SRAM 单元电路结构第29-32页
   ·八管 SRAM 单元电路结构第32-35页
   ·十管 SRAM 单元电路结构第35-39页
     ·双端口十管 SRAM 单元电路结构第35-36页
     ·施密特触发器型十管 SRAM 单元电路结构第36-39页
第四章 新型九管 SRAM 单元及性能分析第39-67页
   ·新型九管 SRAM 单元存储电路第39-41页
   ·SRAM 单元读写操作速度第41-45页
   ·SRAM 单元的写操作余量第45-54页
   ·SRAM 单元的静态噪声容限第54-59页
     ·静态噪声容限的定义方法第54-55页
     ·六管 SRAM 单元读操作噪声容限第55-58页
     ·新型九管 SRAM 单元的读操作噪声容限第58页
     ·四种 SRAM 单元电路的 SNM第58-59页
   ·MOS 晶体管中的漏电流第59-63页
     ·漏电流第59-60页
     ·SRAM 单元中的漏电流第60-63页
   ·动态功耗第63-67页
第五章 结束语第67-69页
致谢第69-71页
参考文献第71-74页

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