快速高稳定性九管SRAM单元电路研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
·引言 | 第7-9页 |
·静态随机存储器简介 | 第9-15页 |
·半导体存储器的分类及特点 | 第9-11页 |
·SRAM 系统的结构 | 第11-15页 |
·论文结构 | 第15-17页 |
第二章 传统 SRAM 单元电路介绍 | 第17-27页 |
·六管 SRAM 存储单元电路的结构和读写操作 | 第17-23页 |
·读操作 | 第18-20页 |
·写操作 | 第20-21页 |
·读写操作仿真预充电电路 | 第21-22页 |
·读写操作仿真结果 | 第22-23页 |
·四管 SRAM 存储单元电路的结构和读写操作 | 第23-27页 |
第三章 新型 SRAM 单元电路 | 第27-39页 |
·七管 SRAM 单元电路结构 | 第27-29页 |
·双字线九管 SRAM 单元电路结构 | 第29-32页 |
·八管 SRAM 单元电路结构 | 第32-35页 |
·十管 SRAM 单元电路结构 | 第35-39页 |
·双端口十管 SRAM 单元电路结构 | 第35-36页 |
·施密特触发器型十管 SRAM 单元电路结构 | 第36-39页 |
第四章 新型九管 SRAM 单元及性能分析 | 第39-67页 |
·新型九管 SRAM 单元存储电路 | 第39-41页 |
·SRAM 单元读写操作速度 | 第41-45页 |
·SRAM 单元的写操作余量 | 第45-54页 |
·SRAM 单元的静态噪声容限 | 第54-59页 |
·静态噪声容限的定义方法 | 第54-55页 |
·六管 SRAM 单元读操作噪声容限 | 第55-58页 |
·新型九管 SRAM 单元的读操作噪声容限 | 第58页 |
·四种 SRAM 单元电路的 SNM | 第58-59页 |
·MOS 晶体管中的漏电流 | 第59-63页 |
·漏电流 | 第59-60页 |
·SRAM 单元中的漏电流 | 第60-63页 |
·动态功耗 | 第63-67页 |
第五章 结束语 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |