大功率GaN基LED芯片的制备

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章 绪论	第10-28页
·本课题的研究背景及意义	第10-11页
·课题的研究背景	第10页
·课题的研究意义	第10-11页
·大功率 LED 芯片的研究现状及存在的问题	第11-14页
·大功率 LED 芯片的研究现状	第11-13页
·大功率 LED 芯片存在的主要问题	第13-14页
·现有提高 LED 芯片光提取效率的方法	第14-27页
·本课题主要的研究内容	第27-28页
第二章 大功率 GaN 基 LED 芯片制备	第28-48页
·LED 芯片结构	第28-29页
·GaN 基 LED 外延片的制备	第29-31页
·GaN 基大功率 LED 芯片制备	第31-44页
·大功率 LED 芯片电极设计原理	第31-35页
·大功率 LED 芯片的制备流程	第35-41页
·芯片测试结果与分析	第41-44页
·高温热酸腐蚀对 LED 芯片性能的改善	第44-46页
·芯片激光切割中存在的问题	第44-45页
·高温热酸实验对芯片性能的影响	第45-46页
·本章小结	第46-48页
第三章 金属反射镜实验对芯片光提取效率的提升	第48-53页
·现有 DBR 结构存在的问题	第48-50页
·金属反射镜的设计与实现	第50-52页
·本章小结	第52-53页
第四章 Mesa 侧壁梯形状结构设计	第53-59页
·Mesa 侧壁梯形结构的建模与仿真	第53-56页
·ICP 刻蚀实现 Mesa 侧壁正梯形状结构	第56-58页
·本章小结	第58-59页
总结与展望	第59-61页
课题总结	第59-60页
课题展望	第60-61页
参考文献	第61-65页
攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果	第65-66页
致谢	第66-67页
附录	第67页