基于标准CMOS工艺的非易失性存储器设计
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题应用背景 | 第7-8页 |
| ·课题研究现状 | 第8-10页 |
| ·国外研究现状 | 第8-9页 |
| ·国内研究现状 | 第9-10页 |
| ·课题研究内容与研究意义 | 第10-11页 |
| ·研究内容 | 第10页 |
| ·研究意义 | 第10-11页 |
| ·本论文组织结构 | 第11-12页 |
| 第二章 存储器结构及编程原理 | 第12-22页 |
| ·存储器结构 | 第12-14页 |
| ·存储器系统结构 | 第12-13页 |
| ·存储器整体版图 | 第13-14页 |
| ·存储原理 | 第14-15页 |
| ·编程机制 | 第15-20页 |
| ·沟道热电子注入 | 第15-19页 |
| ·Fowler-Nordheim(FN)隧穿 | 第19-20页 |
| ·FN隧穿仿真模型的建立 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 存储单元的设计 | 第22-26页 |
| ·存储单元电路 | 第22-24页 |
| ·存储单元电路结构 | 第22-23页 |
| ·存储单元设计参数 | 第23-24页 |
| ·存储单元的操作模式 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 存储器外围关键电路的设计 | 第26-37页 |
| ·灵敏放大电路 | 第26-29页 |
| ·灵敏放大电路的作用 | 第26页 |
| ·传统型灵敏放大电路 | 第26-27页 |
| ·灵敏放大电路的设计 | 第27-29页 |
| ·升压电路设计 | 第29-34页 |
| ·传统电荷泵 | 第29-32页 |
| ·改进电荷泵 | 第32-34页 |
| ·耐高压开关及电平选择器 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 芯片测试及结果分析 | 第37-51页 |
| ·测试芯片 | 第37页 |
| ·测试条件 | 第37-39页 |
| ·测试环境 | 第37-38页 |
| ·测试信号的产生 | 第38-39页 |
| ·测试内容及结果分析 | 第39-49页 |
| ·存储单元及灵敏放大电路功能测试及结果分析 | 第39-40页 |
| ·存储单元性能测试及结果分析 | 第40-44页 |
| ·电荷泵电路的测试及结果分析 | 第44-45页 |
| ·存储器测试及结果分析 | 第45-49页 |
| ·研究成果对比 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·总结 | 第51页 |
| ·展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在校期间研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
