| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| ·磁性半导体材料的研究 | 第15-20页 |
| ·研究的意义 | 第15页 |
| ·掺杂半导体材料磁性的研究 | 第15-17页 |
| ·扩半导体材料磁性的研究 | 第17-18页 |
| ·磁相互作用的机制 | 第18-20页 |
| ·单层1T-VS_2材料的研究 | 第20-21页 |
| ·单层半导体材料的研究意义 | 第20页 |
| ·单层1T-VS_2材料的研究 | 第20-21页 |
| ·存在及拟解决的问题 | 第21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 密度泛函理论基础 | 第28-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-32页 |
| ·实现DFT的程序包简介 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 过渡金属元素Co和Ni掺杂CuAlO_2的合成制备及磁学性质研究 | 第36-51页 |
| ·研究背景 | 第37-38页 |
| ·研究方法 | 第38-39页 |
| ·实验样品的制备 | 第38-39页 |
| ·理论计算方法 | 第39页 |
| ·结果及讨论 | 第39-46页 |
| ·物相及微结构分析 | 第40-41页 |
| ·磁学性质 | 第41-44页 |
| ·理论计算结果 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第四章 低维半导体材料的结构及物性设计 | 第51-70页 |
| ·研究背景 | 第51页 |
| ·研究方法 | 第51-52页 |
| ·ZnO纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第52-54页 |
| ·ZnO纳米团簇的原子结构 | 第52-53页 |
| ·ZnO纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第53-54页 |
| ·GaN纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第54-55页 |
| ·GaN纳米团簇的原子结构 | 第54-55页 |
| ·GaN纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第55页 |
| ·具有Mg空位缺陷的MgO纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第55-58页 |
| ·具有Mg空位缺陷的MgO纳米团簇的原子结构 | 第56页 |
| ·具有Mg空位缺陷的MgO纳米团簇的电子结构与自旋结构 | 第56-58页 |
| ·纳米团簇的磁性起源 | 第58-61页 |
| ·低维半导体材料磁性的调控 | 第61-67页 |
| ·结构设计 | 第62-63页 |
| ·拓扑和钝化 | 第63-65页 |
| ·电子或空穴的注入 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 低维半导体材料的海森堡交换能和居里温度的研究 | 第70-79页 |
| ·研究背景 | 第70-71页 |
| ·研究方法 | 第71-73页 |
| ·模型的构建 | 第71页 |
| ·海森堡交换能和居里温度 | 第71-73页 |
| ·结果及讨论 | 第73-75页 |
| ·海森堡交换能和距离的关系 | 第73-74页 |
| ·居里温度和CdS纳米团簇及2配位S离子数的关系 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第六章 单层1T-VS_2的结构及相变特性的理论研究 | 第79-97页 |
| ·研究背景 | 第79-80页 |
| ·研究方法 | 第80-81页 |
| ·电子结构 | 第81-83页 |
| ·相变的理论推演 | 第83-88页 |
| ·派尔斯相变和电荷密度波 | 第83-84页 |
| ·相变的理论推演 | 第84-88页 |
| ·结果及讨论 | 第88-93页 |
| ·相变的确定 | 第88-90页 |
| ·模拟相变前后的电子衍射图样 | 第90-92页 |
| ·费米面 | 第92-93页 |
| ·声子色散谱 | 第93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第七章 总结与展望 | 第97-101页 |
| ·全文总结 | 第97-100页 |
| ·展望 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第102页 |
