| 中文摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 符号说明 | 第14-16页 |
| 第一章 引言 | 第16-23页 |
| ·全固态调Q激光器 | 第16-17页 |
| ·常用的调Q技术 | 第17-21页 |
| ·调Q的基本原理 | 第17-18页 |
| ·常用的几种主被动调Q技术 | 第18-21页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 中间镜式半导体可饱和吸收镜被动调Q激光器脉冲能量的最佳化 | 第23-38页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·速率方程理论 | 第24-25页 |
| ·计算方法 | 第25-30页 |
| ·结果分析 | 第30-36页 |
| ·应用与小结 | 第36-38页 |
| 第三章 分子模拟技术概述 | 第38-52页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·分子模拟技术的基本方法 | 第39-42页 |
| ·分子力学方法(Molecular mechanics,MM) | 第39-40页 |
| ·蒙特卡洛方法(Monte Carlo,MC) | 第40页 |
| ·量子力学方法(Quantum mechanics,QM) | 第40-41页 |
| ·分子动力学方法 | 第41-42页 |
| ·分子模拟技术的发展和现状 | 第42-43页 |
| ·第一性原理计算的基本理论 | 第43-48页 |
| ·第一性原理计算 | 第43-44页 |
| ·密度泛函理论 | 第44-48页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第44-45页 |
| ·Hohenberg-Kohn方程 | 第45-46页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第46-47页 |
| ·交换关联能的近似方法 | 第47-48页 |
| ·密度泛函理论的优势和缺陷 | 第48页 |
| ·Castep模块基本理论和使用方法介绍 | 第48-52页 |
| ·赝势 | 第49页 |
| ·超晶胞方法 | 第49-50页 |
| ·Castep模块的使用 | 第50-52页 |
| 第四章 GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理研究 | 第52-67页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·GaAs晶体中的点缺陷 | 第52-53页 |
| ·固体的弹性理论 | 第53-56页 |
| ·计算方法及模型 | 第56-59页 |
| ·计算结果及分析 | 第59-65页 |
| ·形成能的计算 | 第59-60页 |
| ·电子结构 | 第60-61页 |
| ·弹性性质的分析 | 第61-65页 |
| ·GaAs晶体的晶格常数 | 第61-62页 |
| ·点缺陷GaAs晶体的弹性常数 | 第62-64页 |
| ·弹性模量的模拟结果分析 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第五章 In原子组分渐变的InGaAs晶体的第一性原理研究 | 第67-74页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·模型的建立和计算方法 | 第68页 |
| ·结果和讨论 | 第68-72页 |
| ·In组分不同的InGaAs晶体的晶格常数 | 第68-69页 |
| ·In组分不同的InGaAs晶体的电子结构 | 第69-70页 |
| ·In组分不同的InGaAs晶体的弹性性质 | 第70-72页 |
| ·In组分不同的InGaAs晶体的弹性常数的模拟结果分析 | 第70-71页 |
| ·In组分不同的InGaAs晶体的弹性模量的模拟结果分析 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第六章 全文总结 | 第74-76页 |
| ·论文完成的工作 | 第74页 |
| ·展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士论文期间发表的学术论文和获奖情况 | 第86-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
