氮化硅陶瓷某典型零件化学机械抛光工艺实验研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 插表索引 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·化学机械抛光技术原理 | 第14-16页 |
| ·化学机械抛光技术原理 | 第14-15页 |
| ·化学机械抛光加工质量影响因素 | 第15-16页 |
| ·化学机械抛光过程中材料去除机理 | 第16-24页 |
| ·CMP 机械作用去除机理 | 第16-22页 |
| ·不同材料 CMP 化学作用去除机理 | 第22-24页 |
| ·CMP 技术主要研究内容及进展 | 第24-27页 |
| ·化学机械抛光液 | 第24-25页 |
| ·化学机械抛光垫 | 第25页 |
| ·化学机械抛光设备 | 第25-26页 |
| ·CMP 无磨料抛光工艺 | 第26-27页 |
| ·论文主要研究目的意义、内容及论文结构安排 | 第27-28页 |
| ·课题来源 | 第27页 |
| ·研究目的和意义 | 第27页 |
| ·论文结构安排 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第二章 化学机械抛光实验平台及装置设计 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29-33页 |
| ·MK2945C 数控坐标磨床简介 | 第29-30页 |
| ·数控坐标磨床的特点及主要功能 | 第30-31页 |
| ·数控坐标磨床的运动控制方式 | 第31-32页 |
| ·自旋工作台 | 第32-33页 |
| ·抛光装置设计要求 | 第33页 |
| ·零件夹持部件 | 第33-34页 |
| ·抛光液配制 | 第34-35页 |
| ·氧化铈性能 | 第34页 |
| ·氧化铈抛光原理 | 第34-35页 |
| ·氧化铈抛光液配制 | 第35页 |
| ·抛光轮设计 | 第35-38页 |
| ·抛光垫性能 | 第35-37页 |
| ·抛光轮设计 | 第37页 |
| ·抛光轮的修整 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 化学机械抛光工艺实验方案 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验材料 | 第39-40页 |
| ·抛光工艺实验方案 | 第40-44页 |
| ·零件抛光运动方式选择 | 第40-41页 |
| ·抛光工艺路线 | 第41-42页 |
| ·抛光工艺参数 | 第42页 |
| ·抛光工艺数控代码 | 第42-44页 |
| ·抛光后表面粗糙度与形貌的检测设备 | 第44-46页 |
| ·表面粗糙度的检测 | 第44-45页 |
| ·表面形貌的检测 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 实验结果及其分析 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·抛光后表面清洗 | 第47-48页 |
| ·氮化硅陶瓷清洗液的选择 | 第47页 |
| ·超声波清洗原理 | 第47-48页 |
| ·氮化硅陶瓷表面清洗方法 | 第48页 |
| ·工艺参数的影响 | 第48-56页 |
| ·抛光液浓度对表面粗糙度的影响 | 第49-51页 |
| ·抛光液流量对表面粗糙度的影响 | 第51-52页 |
| ·抛光轮转速对表面粗糙度的影响 | 第52-54页 |
| ·抛光时间对表面粗糙度的影响 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 化学机械抛光工艺优化 | 第57-68页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·正交设计原理及基本概念 | 第57-59页 |
| ·正交实验设计的原理 | 第57-58页 |
| ·正交实验设计基本概念与特点 | 第58-59页 |
| ·正交实验设计 | 第59-60页 |
| ·参数水平的选择 | 第59页 |
| ·正交表的设计 | 第59-60页 |
| ·实验数据评价与分析方法 | 第60-62页 |
| ·数据评价 | 第60-62页 |
| ·实验结果与分析 | 第62-67页 |
| ·优化工艺实验数据计算 | 第62-63页 |
| ·方差分析 | 第63-65页 |
| ·实验验证 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附录 A 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 附录 B 攻读硕士学位期间参与的研究课题 | 第78-79页 |
