| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第7-8页 |
| ·RRAM 存储器的发展历史和研究现状 | 第8-10页 |
| ·本论文的主要工作和论文框架 | 第10-11页 |
| 第二章 RRAM 器件及模型建立 | 第11-25页 |
| ·RRAM 器件简介 | 第11-15页 |
| ·阻变现象 | 第11-12页 |
| ·RRAM 器件结构 | 第12-14页 |
| ·几种常见的 RRAM 器件 | 第14-15页 |
| ·RRAM 器件的工作机理 | 第15-17页 |
| ·基于 MOS 器件的 RRAM 器件模型 | 第17-19页 |
| ·基于 Verilog-A 语言的 RRAM 器件模型 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 RRAM 存储单元及存储阵列的读写方案 | 第25-37页 |
| ·RRAM 存储单元 | 第25-28页 |
| ·1R 型存储单元 | 第25-27页 |
| ·1T1R 型存储单元 | 第27页 |
| ·1D1R 型存储单元 | 第27-28页 |
| ·存储阵列的写方案 | 第28-31页 |
| ·存储阵列的读方案 | 第31-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 RRAM 存储器的整体规划及各个模块设计 | 第37-55页 |
| ·RRAM 存储器的整体规划 | 第37-40页 |
| ·RRAM 存储器的整体结构 | 第37-38页 |
| ·性能参数和管脚定义 | 第38-40页 |
| ·存储阵列设计 | 第40-41页 |
| ·译码器电路设计 | 第41-45页 |
| ·行地址译码器 | 第41-42页 |
| ·列地址写电路译码器 | 第42-43页 |
| ·列地址读电路译码器 | 第43-45页 |
| ·电平选择电路和控制电路设计 | 第45-50页 |
| ·行电平选择电路 | 第45-47页 |
| ·列电平选择电路 | 第47-49页 |
| ·控制电路设计 | 第49-50页 |
| ·灵敏放大器电路 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第五章 RRAM 存储器整体电路仿真 | 第55-61页 |
| ·RRAM 存储器随机读写仿真 | 第55-58页 |
| ·最坏情况仿真 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |