| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-18页 |
| ·半导体材料的光致电子跃迁过程 | 第10-12页 |
| ·带-带跃迁 | 第10页 |
| ·本征带与杂质能级之间的跃迁 | 第10-11页 |
| ·施主与受主之间的跃迁 | 第11页 |
| ·激子吸收 | 第11页 |
| ·由表面态引起的跃迁 | 第11页 |
| ·小结 | 第11-12页 |
| ·几种半导体金属氧化物的性质、现状及其制备方法 | 第12-15页 |
| ·二氧化铈的基本性质及现状 | 第12页 |
| ·氧化锌的基本性质及现状 | 第12页 |
| ·二氧化钛的基本性质及现状 | 第12-13页 |
| ·二氧化锡的基本性质及现状 | 第13页 |
| ·纳米级粉体的制备方法 | 第13-15页 |
| ·本课题的研究背景、研究目的、研究内容和研究方法 | 第15-18页 |
| ·本课题的研究背景和立项依据 | 第15-16页 |
| ·研究内容 | 第16页 |
| ·研究方法 | 第16-18页 |
| 第2章 样品的制备和表征 | 第18-34页 |
| ·主要化学药品 | 第18页 |
| ·仪器及设备 | 第18-19页 |
| ·各样品的制备及命名 | 第19-34页 |
| ·热沉淀法制备纳米 CeO_2及产物表征 | 第19-22页 |
| ·溶胶-聚沉法制备纳米 CeO_2及产物表征 | 第22-24页 |
| ·直接沉淀法制备纳米 CeO_2及产物表征 | 第24-26页 |
| ·固相化学反应-水热法合成 CeO_2及产物表征 | 第26-28页 |
| ·固相化学反应-水热法合成 ZnO 及产物表征 | 第28-30页 |
| ·固相化学反应-水热法合成 SnO_2及产物表征 | 第30-32页 |
| ·溶胶-水热法制备纳米 TiO_2及产物表征 | 第32-34页 |
| 第3章 样品的发射光谱测试及分析 | 第34-43页 |
| ·发射光谱与激发波长关系研究 | 第34-36页 |
| ·半导体氧化物的发射光谱特征与微粒粒度关系研究 | 第36-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 DC-CeO_2的发射光谱的高斯拟合及数据分析 | 第43-50页 |
| ·DC-CeO_2-4 的发射光谱高斯拟合 | 第43-44页 |
| ·DC-CeO_2-4 的紫外-可见（UV-Vi）测试及带隙值计算 | 第44-47页 |
| ·不同温度煅烧的 DC-CeO_2发射谱的 Sindir/Sdir及 SVi/SUV分析 | 第47-50页 |
| 第5章 几种半导体氧化物的发射谱的 Sindir/Sdir和 SVi/SUV计算与分析 | 第50-55页 |
| ·几种半导体氧化物的 Egdir和 Egindir计算 | 第50-52页 |
| ·几种半导体金属氧化物的发射谱的 Sindir/Sdir及 SVi/SUV分析 | 第52-55页 |
| 第6章 多峰发射光谱拟合在光催化机理研究中的应用 | 第55-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第65-66页 |
| 附件 | 第66-67页 |
| 授予硕士学位人员登记表 | 第67页 |
