微波等离子体CVD法工艺参数对金刚石薄膜质量的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·金刚石的结构及应用 | 第12-13页 |
| ·常见 MPCVD 装置 | 第13-18页 |
| ·NIRIM 型反应腔 | 第13-14页 |
| ·ASTeX 型反应腔 | 第14-15页 |
| ·SAIREM 型反应腔 | 第15-16页 |
| ·AIXTRON 型反应腔 | 第16-17页 |
| ·圆柱形多模谐振腔式反应腔 | 第17-18页 |
| ·本课题研究主要内容 | 第18-21页 |
| 第2章 实验装置和表征方法 | 第21-29页 |
| ·装置的结构与原理 | 第21-26页 |
| ·微波系统 | 第22-24页 |
| ·真空系统 | 第24-26页 |
| ·水冷系统 | 第26页 |
| ·金刚石膜常用的表征方法和检测手段 | 第26-29页 |
| ·光学显微镜 | 第26页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| ·激光拉曼光谱 | 第27页 |
| ·X 射线衍射 | 第27-28页 |
| ·等离子体发射光谱 | 第28-29页 |
| 第3章 制备大面积金刚石膜的工艺研究 | 第29-49页 |
| ·生长金刚石膜的基本工艺参数研究 | 第29-37页 |
| ·甲烷浓度对金刚石膜的影响 | 第31-35页 |
| ·基片温度对金刚石膜的影响 | 第35-37页 |
| ·基片台结构对基片温度的影响 | 第37-41页 |
| ·大面积金刚石膜的制备 | 第41-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 金刚石膜（100）面择优取向研究 | 第49-59页 |
| ·生长（100）晶面金刚石膜的方法 | 第49-51页 |
| ·偏压增强形核 | 第49-50页 |
| ·α生长参数 | 第50-51页 |
| ·氧元素对（100）晶面的影响 | 第51页 |
| ·生长（100）面金刚石膜 | 第51-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第59-63页 |
| ·全文总结 | 第59-60页 |
| ·结果展望 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
