| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 符号说明 | 第17-19页 |
| 第一章 导论 | 第19-34页 |
| §1.1 半导体激光器简介 | 第19-21页 |
| §1.2 宽可调谐半导体激光器的应用 | 第21-24页 |
| §1.3 宽可调谐半导体激光器的研究进展 | 第24-31页 |
| §1.4 本文的研究内容 | 第31-34页 |
| 第二章 SGDBR半导体激光器结构设计 | 第34-53页 |
| §2.1 传输矩阵法简介 | 第34-37页 |
| §2.2 SGDBR半导体激光器中取样光栅区设计 | 第37-45页 |
| §2.3 SGDBR半导体激光器中材料设计 | 第45-51页 |
| ·有源区量子阱结构设计 | 第45-47页 |
| ·调谐区材料设计 | 第47-49页 |
| ·激光器中模场分布 | 第49-51页 |
| §2.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 SGDBR半导体激光器新型时域动态模型 | 第53-81页 |
| §3.1 新型时域模型 | 第53-64页 |
| ·时域行波法 | 第54-58页 |
| ·有效布洛赫方程 | 第58-60页 |
| ·数字滤波器方法的引入 | 第60-62页 |
| ·新型时域模型计算流程 | 第62-64页 |
| §3.2 SGDBR半导体激光器模拟分析 | 第64-75页 |
| §3.3 光集成器件动态模拟 | 第75-80页 |
| §3.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 第四章 ICP刻蚀技术研究 | 第81-99页 |
| §4.1 干法刻蚀技术简介 | 第81-86页 |
| ·等离子体原理和刻蚀机制 | 第81-84页 |
| ·干法刻蚀系统 | 第84-86页 |
| §4.2 高密度等离子体低损伤刻蚀研究 | 第86-95页 |
| §4.3 ICP低损伤刻蚀应用 | 第95-98页 |
| ·DFB半导体激光器 | 第95-96页 |
| ·取样光栅制作工艺的改进 | 第96-98页 |
| §4.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 宽可调谐SGDBR半导体激光器的制作 | 第99-123页 |
| §5.1 MOCVD设备及其原理 | 第99-102页 |
| §5.2 半导体材料表征 | 第102-107页 |
| ·光荧光谱(Photolumin-Escence,PL) | 第102-103页 |
| ·X射线双晶衍射 | 第103-107页 |
| §5.2 INP基光子器件单片集成技术 | 第107-112页 |
| ·选择区域生长技术 | 第107-108页 |
| ·偏移量子阱技术与双量子阱技术 | 第108-109页 |
| ·非对称双波导技术 | 第109-110页 |
| ·量子阱混杂技术 | 第110页 |
| ·对接生长技术 | 第110-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| §5.3 MOCVD对接生长研究 | 第112-116页 |
| ·对接工艺实验与改进 | 第112-114页 |
| ·对接波导损耗及界面反射测试 | 第114-116页 |
| §5.4 SGDBR半导体激光器及集成SOA的制作 | 第116-122页 |
| ·SGDBR半导体激光器的制作 | 第116-120页 |
| ·SGDBR半导体激光器集成SOA的制作 | 第120-122页 |
| §5.5 总结 | 第122-123页 |
| 第六章 SGDBR半导体激光器自动化测试 | 第123-132页 |
| §6.1 虚拟仪器和LABVIEW简介 | 第123-125页 |
| §6.2 SGDBR半导体激光器自动化测试程序 | 第125-128页 |
| §6.3 SGDBR半导体激光器测试结果 | 第128-129页 |
| §6.4 SGDBR半导体激光器集成SOA性能测试 | 第129-131页 |
| §6.5 本章小结 | 第131-132页 |
| 第七章 全文总结 | 第132-135页 |
| 参考文献 | 第135-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 攻读学位期间参加的项目、获得的奖励及发表的论文 | 第151-153页 |
| 附发表外文论文两篇 | 第153-173页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第173页 |
