| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 第2章 潜影形成与硫增感 | 第15-20页 |
| ·潜影形成 | 第15-16页 |
| ·硫增感 | 第16-19页 |
| ·硫增感中心的形成过程 | 第16-17页 |
| ·硫化银形成的动力学 | 第17-18页 |
| ·硫增感中心的分布及变化 | 第18页 |
| ·硫增感的陷阱效应 | 第18-19页 |
| ·影响硫增感的因素 | 第19-20页 |
| 第3章 样品制备及检测原理 | 第20-26页 |
| ·样品制备 | 第20-21页 |
| ·光电子时间行为的检测方法 | 第21-22页 |
| ·光电子时间行为的检测 | 第22-24页 |
| ·检测原理 | 第22-23页 |
| ·检测装置 | 第23-24页 |
| ·光电子时间行为的检测结果 | 第24-26页 |
| 第4章 光电子衰减过程的动力学分析 | 第26-38页 |
| ·卤化银微晶的基本模型和动力学方程 | 第26-28页 |
| ·硫增感氯化银微晶的具体模型和动力学方程 | 第28-29页 |
| ·纯氯化银微晶中陷阱参数的确定 | 第29-31页 |
| ·模型中陷阱各参数变化对光电子衰减的影响 | 第31-37页 |
| ·固有表面浅电子陷阱对光电子衰减的影响 | 第31-32页 |
| ·固有表面深电子陷阱对光电子衰减的影响 | 第32-33页 |
| ·固有内部深电子陷阱对光电子衰减的影响 | 第33-34页 |
| ·引入的空穴陷阱对光电子衰减的影响 | 第34-35页 |
| ·引入的浅电子陷阱对光电子衰减的影响 | 第35-36页 |
| ·引入的深电子陷阱对光电子衰减的影响 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第5章 硫增感对光电子衰减行为的影响及动力学分析 | 第38-45页 |
| ·不同增感时间下光电子的衰减行为 | 第38-39页 |
| ·增感时间不同时增感中心陷阱效应的变化 | 第39-40页 |
| ·光电子衰减过程的动力学分析 | 第40-45页 |
| ·空穴陷阱效应动力学分析 | 第41-42页 |
| ·浅电子陷阱效应动力学分析 | 第42-43页 |
| ·深电子陷阱效应动力学分析 | 第43-45页 |
| 第6章 硫加金增感对光电子衰减行为的影响及动力学分析 | 第45-50页 |
| ·增感时间对光电子衰减的影响 | 第45-47页 |
| ·光电子衰减过程的动力学分析 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 结束语 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |