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紫外光激发型半导体氧化物气体传感器的研究

中文摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 前言第11-32页
   ·引言第11-12页
   ·半导体氧化物气体传感器第12-15页
     ·半导体气体传感器发展历史第12-13页
     ·半导体气体传感器种类第13-15页
   ·半导体气体传感器敏感机理第15-19页
     ·O_2在半导体氧化物表面的吸附行为第16-17页
     ·稳态和瞬态气敏机理第17-19页
   ·光激发气体传感器发展历史及研究现状第19-30页
     ·光激发气体传感器的发展历史第19-24页
     ·增强光激发气敏器件性能的途径第24-30页
   ·本文研究意义和研究内容第30-32页
第2章 ZnO-SnO_2复合材料制备及气敏特性研究第32-41页
   ·ZnO 及 ZnO-SnO_2复合材料简介第32-33页
   ·复合材料制备与敏感器件制作第33-35页
     ·实验试剂第33-34页
     ·材料制备第34页
     ·器件制作第34-35页
   ·测试结果分析与讨论第35-40页
     ·材料表征及分析第35-36页
     ·气体传感器的光增感特性第36-40页
   ·结论第40-41页
第3章 基于 SnO_2-In2O_3中空结构的臭氧传感器第41-57页
   ·In2O_3及 SnO_2-In2O_3复合材料简介第41-43页
   ·敏感器件制作第43-45页
     ·实验试剂第43页
     ·材料制备第43-45页
     ·器件制作及测试系统第45页
   ·测试结果分析与讨论第45-56页
     ·材料表征及分析第45-50页
     ·臭氧气敏特性第50-53页
     ·气敏机理分析第53-56页
   ·结论第56-57页
第4章 基于 SnO-TiO_2中空结构的紫外光增强型乙醇传感器第57-70页
   ·TiO_2及 SnO_2-TiO_2复合材料简介第57-59页
   ·敏感器件制作第59-62页
     ·材料制备第60-61页
     ·器件制作及测试系统第61-62页
   ·测试结果分析与讨论第62-69页
     ·材料表征与分析第62-64页
     ·紫外增强敏感特性第64-66页
     ·气敏机理分析第66-69页
   ·结论第69-70页
第5章 SnO_2纳米线阵列的超声喷雾法制备及气敏特性研究第70-86页
   ·超声喷雾系统第72-73页
   ·材料表征设备第73页
   ·气敏性能测试装置第73页
   ·材料表征结果与分析第73-80页
     ·SnO_2纳米线 XRD 表征第73-74页
     ·形貌表征第74-76页
     ·形貌随时间演化过程第76-77页
     ·差热失重分析第77-80页
   ·生长机理第80-82页
   ·气敏特性第82-84页
   ·气敏机理第84-85页
   ·结论第85-86页
第6章 具有背反射层的光增强型气体传感器第86-103页
   ·器件结构的简介第86-88页
   ·器件制作第88-89页
     ·敏感材料及衬底的选择第88页
     ·器件制作工艺第88-89页
   ·敏感层形貌表征及性能第89-96页
   ·器件结构及气敏机理分析第96-97页
   ·湿度对室温气体传感器的影响第97-102页
   ·结论第102-103页
第7章 结论与展望第103-105页
参考文献第105-128页
致谢第128-129页
作者简历第129页

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