| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 主要符号表 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·无铅压电陶瓷概述 | 第11-17页 |
| ·无铅压电陶瓷的研究进展 | 第11-14页 |
| ·织构化陶瓷 | 第14-17页 |
| ·弛豫铁电单晶概述 | 第17-20页 |
| ·弛豫铁电单晶的研究进展 | 第17-18页 |
| ·弛豫铁电单晶的制备方法 | 第18-20页 |
| ·弛豫铁电单晶的电畴研究 | 第20页 |
| ·本文的研究目的和意义 | 第20-22页 |
| ·选题的背景和意义 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| 2 实验方法和过程 | 第22-31页 |
| ·钛酸钡织构陶瓷的实验研究过程 | 第22-27页 |
| ·前驱体制备 | 第22-23页 |
| ·流延成型 | 第23-24页 |
| ·素坯排塑 | 第24页 |
| ·烧结 | 第24-25页 |
| ·组织、结构分析和性能测试 | 第25-27页 |
| ·PMN-PT弛豫铁电单晶的实验研究过程 | 第27-31页 |
| ·试样的制备 | 第27页 |
| ·晶体的定向和切割 | 第27-28页 |
| ·PMN-32PT样品的研磨、抛光 | 第28页 |
| ·样品的清洗 | 第28页 |
| ·样品的退火 | 第28-29页 |
| ·试样的极化工艺 | 第29页 |
| ·压电性能的测试 | 第29页 |
| ·介电性能的测试 | 第29页 |
| ·电畴组态观察 | 第29-31页 |
| 3 模板晶粒生长法制备的钛酸钡织构化陶瓷的组织与性能 | 第31-36页 |
| ·钛酸钡模板 | 第31页 |
| ·预烧粉体XRD分析 | 第31-32页 |
| ·流延膜XRD分析 | 第32-33页 |
| ·陶瓷样品的体积密度 | 第33-34页 |
| ·钛酸钡织构陶瓷样品的组织 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 外场对钛酸钡陶瓷性能的影响 | 第36-42页 |
| ·样品制备 | 第36页 |
| ·实验结果及分析 | 第36-40页 |
| ·无偏置电压下钛酸钡陶瓷的介电性能 | 第36-39页 |
| ·偏置电场下BT陶瓷的介电性能 | 第39-40页 |
| ·钛酸钡陶瓷的介电非线性机理 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 5 外场对PMN-32PT单晶的电畴形貌的影响 | 第42-54页 |
| ·PMN-32PT单晶样品的结构 | 第42页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在温度场下的行为 | 第42-49页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在升温过程中的行为 | 第42-44页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在降温过程中的行为 | 第44-45页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在不同温度区段的消光行为 | 第45-49页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在直流电场下的行为 | 第49-51页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在正向电场下的行为 | 第49-50页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在反向电场下的行为 | 第50-51页 |
| ·[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴在交流电场下的行为 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 6 外场对PMN-32PT单晶性能的影响 | 第54-58页 |
| ·电场对[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶介电性能的影响 | 第54-56页 |
| ·力场对[100]_(cub)切型PMN-32PT单晶的性能影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 7 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
