| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 基本概念 | 第13-16页 |
| 1.2.1 什么是电存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.2 电存储器件的种类 | 第14-16页 |
| 1.3 电存储器件的简要历史 | 第16-19页 |
| 1.4 有机/聚合物记忆器件的种类 | 第19-20页 |
| 1.4.1 电容式聚合物记忆器件 | 第19-20页 |
| 1.4.2 晶体管式聚合物记忆器件 | 第20页 |
| 1.5 电阻式聚合物记忆器件 | 第20-28页 |
| 1.5.1 电阻式聚合物记忆器件的一般结构 | 第21-22页 |
| 1.5.2 聚合物随机存取存储器的电气特征 | 第22-23页 |
| 1.5.3 器件中的传导机制 | 第23-28页 |
| 1.6 提高记忆器件存储密度的办法 | 第28-29页 |
| 1.7 本论文的研究内容 | 第29-30页 |
| 1.8 本论文的创新点 | 第30-32页 |
| 第二章 侧链含萘酰亚胺并咪唑、咔唑以及三联噻吩聚硅氧烷的合成 | 第32-62页 |
| 2.1 引言 | 第32-33页 |
| 2.2 实验原料与仪器 | 第33-35页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第33-34页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第34-35页 |
| 2.3 硅氧烷单体的合成与表征 | 第35-57页 |
| 2.3.1 萘酰亚胺并咪唑硅氧烷单体的合成与表征 | 第35-40页 |
| 2.3.2 苯基咔唑硅氧烷单体的合成与表征 | 第40-45页 |
| 2.3.3 三联噻吩硅氧烷单体的合成与表征 | 第45-57页 |
| 2.4 萘酰亚胺并咪唑硅氧烷与苯基咔唑以及三联噻吩硅氧烷交替共聚物的合成 | 第57-60页 |
| 2.4.1 侧链含萘酰亚胺并咪唑与苯基咔唑聚硅氧烷(PNDISi-alt-CzSi)合成 | 第57-58页 |
| 2.4.2 萘酰亚胺并咪唑和三联噻吩侧链的聚硅氧烷(PNDISi-alt-T_3Si)的合成 | 第58-60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第三章 侧链含萘酰亚胺并咪唑和苯基咔唑以及三联噻吩聚硅氧烷的性能研究 | 第62-76页 |
| 3.1 引言 | 第62页 |
| 3.2 表征方法 | 第62-63页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第63-75页 |
| 3.3.1 热力学表征 | 第63-65页 |
| 3.3.2 光学表征 | 第65-68页 |
| 3.3.3 电化学测试及分子模拟 | 第68-70页 |
| 3.3.4 AFM表征 | 第70-71页 |
| 3.3.5 半导体参数仪测试 | 第71-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 作者及导师简介 | 第88-90页 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第90-91页 |
