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射频容性耦合等离子体物理特性的PIC/MCC模拟研究

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-16页
   ·低温等离子体刻蚀的研究背景和意义第8-9页
   ·射频容性耦合等离子体研究现状第9-13页
   ·离子能量分布和角度分布的研究进展第13-14页
   ·本文内容简介及结构安排第14-16页
2 PIC/MCC模拟理论第16-30页
   ·粒子模拟(PIC)理论第16-25页
     ·粒子模拟的基本思想和要点第16-18页
     ·粒子模拟的技巧第18-20页
     ·笛卡尔坐标系下的一维静电场模型第20-23页
     ·有界等离子体模拟第23-25页
   ·MCC模型第25-30页
     ·MC技术第25-26页
     ·零碰撞法第26-29页
     ·PIC/MCC计算流程第29-30页
3 二维单频容性耦合放电模拟研究第30-44页
   ·引言第30页
   ·模型建立第30-32页
   ·等离子体参数结果与讨论第32-39页
     ·一定外部条件下的放电结果分析第32-36页
     ·不同外部条件下的放电结果分析第36-39页
   ·能量分布和角度分布结果分析第39-44页
4 一维双频容性耦合放电模拟研究第44-49页
   ·引言第44-45页
   ·模型建立第45-46页
   ·模拟结果分析第46-49页
结论第49-50页
参考文献第50-53页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第53-54页
致谢第54-55页

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