射频容性耦合等离子体物理特性的PIC/MCC模拟研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-16页 |
·低温等离子体刻蚀的研究背景和意义 | 第8-9页 |
·射频容性耦合等离子体研究现状 | 第9-13页 |
·离子能量分布和角度分布的研究进展 | 第13-14页 |
·本文内容简介及结构安排 | 第14-16页 |
2 PIC/MCC模拟理论 | 第16-30页 |
·粒子模拟(PIC)理论 | 第16-25页 |
·粒子模拟的基本思想和要点 | 第16-18页 |
·粒子模拟的技巧 | 第18-20页 |
·笛卡尔坐标系下的一维静电场模型 | 第20-23页 |
·有界等离子体模拟 | 第23-25页 |
·MCC模型 | 第25-30页 |
·MC技术 | 第25-26页 |
·零碰撞法 | 第26-29页 |
·PIC/MCC计算流程 | 第29-30页 |
3 二维单频容性耦合放电模拟研究 | 第30-44页 |
·引言 | 第30页 |
·模型建立 | 第30-32页 |
·等离子体参数结果与讨论 | 第32-39页 |
·一定外部条件下的放电结果分析 | 第32-36页 |
·不同外部条件下的放电结果分析 | 第36-39页 |
·能量分布和角度分布结果分析 | 第39-44页 |
4 一维双频容性耦合放电模拟研究 | 第44-49页 |
·引言 | 第44-45页 |
·模型建立 | 第45-46页 |
·模拟结果分析 | 第46-49页 |
结论 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
致谢 | 第54-55页 |