| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·电介质材料 | 第9-14页 |
| ·电介质材料简介 | 第9-10页 |
| ·微波可调介质材料 | 第10-12页 |
| ·钙钛矿结构介电材料 | 第12-14页 |
| ·BA(ZR,TI)O_3薄膜研究现状 | 第14-18页 |
| ·Ba(Zr,Ti)O_3 的基本性能特点 | 第14-16页 |
| ·Ba(Zr,Ti)O_3薄膜研究进展 | 第16-18页 |
| ·BA(ZR,TI)O_3薄膜掺杂改性研究 | 第18-20页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第20-22页 |
| 第二章 BZT 薄膜的制备工艺，微结构表征和电学性质测试 | 第22-32页 |
| ·制备BZT 薄膜PLD 系统简介 | 第22-26页 |
| ·PLD 制膜原理 | 第22-24页 |
| ·PLD 陶瓷靶材制备 | 第24-26页 |
| ·BZT 薄膜微结构表征方法 | 第26-29页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·X 射线光电子能谱仪 | 第29页 |
| ·BZT 薄膜电学性质的测试方法 | 第29-32页 |
| 第三章 单晶氧化物基片上外延生长BZT 薄膜及MN掺杂效应 | 第32-54页 |
| ·LAO 衬底上生长的BZT 薄膜及MN掺杂效应 | 第32-42页 |
| ·BZT 薄膜生长及结构与形貌表征 | 第32-38页 |
| ·2% Mn 掺杂对BZT 薄膜影响 | 第38-42页 |
| ·MGO 衬底上生长BZT 薄膜及MN掺杂效应 | 第42-50页 |
| ·2% Mn 掺杂对BZT 薄膜的影响 | 第42-47页 |
| ·不同厚度Mn-BZT 薄膜结构与介电性能研究 | 第47-50页 |
| ·不同衬底上外延生长BZT 薄膜介电性能比较 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 PT/TI/SIO_2/SI衬底上沉积BZT薄膜及MN掺杂效应 | 第54-65页 |
| ·沉积温度对BZT 薄膜的影响 | 第54-60页 |
| ·沉积温度对BZT 薄膜结构与形貌的影响 | 第54-57页 |
| ·沉积温度对BZT 薄膜介电与铁电性能的影响 | 第57-60页 |
| ·Mn 掺杂对 BZT 的影响 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 BZT 薄膜MN掺杂机理的研究 | 第65-71页 |
| ·Mn 掺杂对 BZT 薄膜元素化合态的影响 | 第65-68页 |
| ·Mn 掺杂改性机制初探 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 在学期间的研究成果 | 第77-78页 |
