半导体电磁屏蔽薄膜基础研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·电磁干扰及信息泄漏 | 第8-10页 |
| ·电磁屏蔽原理 | 第10-11页 |
| ·薄膜屏蔽材料 | 第11-13页 |
| ·电磁屏蔽设计 | 第13页 |
| ·高性能电磁屏蔽玻璃要求 | 第13-14页 |
| ·本文研究的意义与主要研究内容 | 第14-15页 |
| ·研究意义 | 第14页 |
| ·主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 薄膜电磁屏蔽性能计算与分析 | 第15-25页 |
| ·有限元法的应用 | 第15页 |
| ·电磁屏蔽性能有限元计算 | 第15-16页 |
| ·模型的建立及参数设置 | 第16-20页 |
| ·电磁屏蔽性能测量方法 | 第16-17页 |
| ·根据测量方法建立模型 | 第17-18页 |
| ·计算结果的表达 | 第18-20页 |
| ·薄膜电磁屏蔽性能计算结果及分析 | 第20-24页 |
| ·测量与计算结果对比 | 第20-21页 |
| ·电阻率及膜厚对屏蔽性能影响 | 第21-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 ITO 薄膜导电机理分析 | 第25-43页 |
| ·ITO 样品的制备及表征方法 | 第25-26页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·表征方法 | 第26页 |
| ·称底温度的影响 | 第26-29页 |
| ·称底温度对薄膜电学性能的影响 | 第26-27页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第27-28页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第28-29页 |
| ·氧分压的影响 | 第29-32页 |
| ·氧分压对薄膜光电性能的影响 | 第29-31页 |
| ·氧分压对薄膜结构的影响 | 第31-32页 |
| ·氧分压及温度对光学带隙的影响 | 第32-35页 |
| ·ITO 薄膜化学态及晶化程度分析 | 第35-39页 |
| ·ITO 薄膜的化学态的研究 | 第35-37页 |
| ·ITO 薄膜晶化程度分析 | 第37-39页 |
| ·ITO 薄膜载流子浓度及Hall 迁移率 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺 | 第43-52页 |
| ·金属膜 | 第43-45页 |
| ·半导体薄膜 | 第45-48页 |
| ·SnO_2:F薄膜 | 第45-46页 |
| ·电磁屏蔽性能分析 | 第46页 |
| ·电磁屏蔽膜的光学性能 | 第46-48页 |
| ·薄膜的耐热稳定性能 | 第48-49页 |
| ·高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 下一步工作思考 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和参与科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
