微晶硅薄膜的高速沉积研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstracts | 第4-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| 第二章 等离子体成膜基础 | 第9-20页 |
| ·微晶硅薄膜的制备方法 | 第9-10页 |
| ·等离子体概论 | 第10-11页 |
| ·等离子体特性参量 | 第11-12页 |
| ·辉光放电等离子体 | 第12-14页 |
| ·PECVD中的物理及化学过程 | 第14-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 RF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜 | 第20-33页 |
| ·实验设备及表征手段 | 第20-21页 |
| ·实验结果与讨论 | 第21-31页 |
| ·沉积气压对沉积速率及晶化率的影响 | 第21-23页 |
| ·射频功率对沉积速率及晶化率的影响 | 第23-24页 |
| ·气体总流量对沉积速率及晶化率的影响 | 第24-26页 |
| ·气体总流量对薄膜结构的影响 | 第26-27页 |
| ·硅烷浓度对沉积速率及晶化率的影响 | 第27-28页 |
| ·沉积气压对薄膜形貌的影响 | 第28-30页 |
| ·高气压微晶硅薄膜光电性能初探 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33-40页 |
| ·硅烷浓度对沉积速率的影响 | 第33-34页 |
| ·硅烷浓度对晶化率的影响 | 第34-36页 |
| ·硅烷浓度对薄膜结构影响 | 第36-38页 |
| ·硅烷浓度对光电性能的影响 | 第38页 |
| ·微晶硅薄膜太阳电池 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第五章 微晶硅薄膜的微结构演变 | 第42-56页 |
| ·概论 | 第42-55页 |
| ·实验 | 第42页 |
| ·薄膜晶化率随时间的演化 | 第42-45页 |
| ·薄膜结构的X射线衍射分析 | 第45-47页 |
| ·薄膜微观形貌随时间的演化 | 第47-51页 |
| ·薄膜表面粗糙度随时间的演化 | 第51-53页 |
| ·微晶硅薄膜微结构演变机理讨论 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
