半导体桥作用特性及其规律研究
中文摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-12页 |
·研究背景及意义 | 第7-8页 |
·SCB火工品国内外研究现状 | 第8-11页 |
·国外研究现状 | 第8-10页 |
·国内现状 | 第10-11页 |
·本文的主要研究内容 | 第11-12页 |
2 SCB的结构与作用机理分析 | 第12-17页 |
·SCB的结构和封装 | 第12-13页 |
·典型SCB的结构 | 第12页 |
·SCB的制造工艺 | 第12-13页 |
·SCB的封装 | 第13页 |
·SCB的作用机理分析 | 第13-15页 |
·输入SCB的能量分布 | 第15页 |
·SCB临界能量分析 | 第15-16页 |
·SCB的相变与等离子体的形成 | 第16-17页 |
3 电容放电条件下SCB的电爆特性 | 第17-52页 |
·电容放电试验电路 | 第18页 |
·N型SCB电爆特性研究 | 第18-39页 |
·典型N型SCB电爆特性 | 第18-22页 |
·充电电压与N型SCB电爆特性的关系 | 第22-32页 |
·电容与N型SCB电爆特性的关系 | 第32-36页 |
·沾药时N型SCB的电爆性能 | 第36-39页 |
·P型SCB电爆特性研究 | 第39-51页 |
·充电电压与SCB电爆特性的关系 | 第40-47页 |
·电容与SCB电爆特性的关系 | 第47-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
4 恒流源激励时SCB的电爆特性研究 | 第52-59页 |
·N型SCB电爆特性 | 第52-55页 |
·P型SCB电爆特性 | 第55-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
5 两种激励模式下的发火时间的比较 | 第59-61页 |
·N型SCB在两种激励模式条件下的发火时间的比较 | 第59-60页 |
·P型SCB在两种激励模式条件下发火时间的比较 | 第60-61页 |
6 结论 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
附录A | 第65-81页 |
附录B | 第81-88页 |