| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-18页 |
| §1 电介质的基本理论及其在 DRAM 中的应用 | 第7-12页 |
| §2 铁电材料简介及研究现状 | 第12-15页 |
| §3 本文的研究意义和研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 PST 和BNT 铁电薄膜及TiO_2过渡层的制备和分析测试方法 | 第18-32页 |
| §1 溶胶-凝胶制膜法(Sol-Gel) | 第18-22页 |
| §2 溶胶-凝胶法制膜的主要设备及环境要求 | 第22-24页 |
| §3 PST 和BNT 铁电薄膜及TiO_2过渡层的溶胶-凝胶法制备 | 第24-30页 |
| §4 薄膜结构和性质的测试方法 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 TiO_2过渡层对 PST 薄膜结构及性质的影响 | 第32-44页 |
| §1 TiO_2过渡层对PST薄膜结构的影响 | 第32-35页 |
| §2 TiO_2过渡层对PST薄膜性质的影响 | 第35-39页 |
| §3 讨论 | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 TiO_2过渡层对BNT 薄膜结构及性质的影响 | 第44-51页 |
| §1 TiO_2 过渡层对BNT 薄膜结构的影响 | 第44-46页 |
| §2 TiO_2 过渡层对BNT 薄膜性质的影响 | 第46-49页 |
| §3 讨论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-53页 |
| 攻读硕士期间公开发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
