| 目录 | 第1-8页 |
| 论文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 第一节 基于场发射的真空微电子器件的应用发展 | 第12-13页 |
| 第二节 场发射阴极的研究及其应用发展 | 第13-16页 |
| 第三节 碳纳米管薄膜的场发射研究 | 第16-22页 |
| 第四节 本论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 理论基础和实验方法 | 第27-45页 |
| 第一节 场发射的理论基础 | 第27-33页 |
| 第二节 薄膜生长方法和实验设备 | 第33-38页 |
| 第三节 碳纳米管薄膜的场发射性能测试 | 第38-40页 |
| 第四节 碳纳米管薄膜的表征 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 LPCVD法制备碳纳米管薄膜的影响因素 | 第45-63页 |
| 第一节 引言 | 第45页 |
| 第二节 制备温度的影响 | 第45-54页 |
| 第三节 C_2H2和 H_2流量比的影响 | 第54-58页 |
| 第四节 压强的影响 | 第58-59页 |
| 第五节 不同中间层的影响 | 第59-61页 |
| 第六节 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第四章 用于场发射的碳纳米管薄膜的可控生长 | 第63-83页 |
| 第一节 引言 | 第63-64页 |
| 第二节 NiTi共溅催化剂生长碳纳米管薄膜及其场发射研究 | 第64-72页 |
| 第三节 NiCr共溅崔化剂生碌纳米管薄膜及其场发射研究 | 第72-81页 |
| 第四节 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 碳纳米管薄膜的场发射应用研究 | 第83-98页 |
| 第一节 引言 | 第83页 |
| 第二节 老化对碳纳米管薄膜场发射的影响 | 第83-89页 |
| 第三节 退火对碳纳米管薄膜场发射的影响 | 第89-92页 |
| 第四节 阵列对碳纳米管薄膜的影响 | 第92-95页 |
| 第五节 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第六章 碳纳米管场发射压力传感器的研制 | 第98-105页 |
| 第一节 引言 | 第98-99页 |
| 第二节 器件总体结构设计与工作原理 | 第99-102页 |
| 第三节 碳纳米管场发射压力传感器的性能测试 | 第102-104页 |
| 第四节 本章小结 | 第104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 第七章 结论 | 第105-107页 |
| 附录博士期间完成的论文 | 第107-108页 |
| 博士期间完成的课题 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |