| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景及国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·研究意义 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作与创新点 | 第12-13页 |
| ·章节安排 | 第13-14页 |
| 第二章 SRAM电路设计概述 | 第14-20页 |
| ·SRAM整体架构描述 | 第14-16页 |
| ·SRAM存储单元结构 | 第16-18页 |
| ·写入操作 | 第16-17页 |
| ·读取操作 | 第17-18页 |
| ·保持操作 | 第18页 |
| ·SRAM良率 | 第18-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 亚阈值SRAM受PVT波动的影响 | 第20-29页 |
| ·亚阈值MOS管性能分析 | 第20-23页 |
| ·亚阈值反相器受PVT波动影响分析 | 第23-26页 |
| ·SRAM存储单元受PVT影响分析 | 第26-28页 |
| ·电源电压的下降对存储单元稳定性的影响 | 第26-27页 |
| ·工艺波动对存储单元稳定性的影响 | 第27-28页 |
| ·温度波动对存储单元稳定性的影响 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第四章 SRAM PVT补偿电路设计 | 第29-58页 |
| ·SRAM PVT补偿方法综述 | 第29-32页 |
| ·SRAM PVT补偿电路实现 | 第32-57页 |
| ·系统级补偿方案 | 第32-34页 |
| ·SRAM电路级抗PVT设计 | 第34-48页 |
| ·可编程输出LDO设计 | 第48-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 亚阈值SRAM板级测试方案及PVT补偿电路仿真结果 | 第58-71页 |
| ·SRAM的测试方案设计及实现 | 第58-69页 |
| ·主要测试性能描述 | 第58-59页 |
| ·SRAM读取时间测试方法总结 | 第59-63页 |
| ·亚闽值SRAM测试方案 | 第63-66页 |
| ·测试原理图及PCB设计 | 第66-69页 |
| ·亚阈值SRAM测试结果及PVT补偿电路仿真结果 | 第69-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-74页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及专利情况 | 第81页 |