| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·国内外发展动态 | 第9-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 射频系统的关键模块----功率放大器 | 第15-32页 |
| ·功率放大器 | 第15-22页 |
| ·功率放大器的分类 | 第15-16页 |
| ·功率放大器的指标 | 第16-21页 |
| ·功率放大器的稳定性 | 第21-22页 |
| ·宽带匹配理论 | 第22页 |
| ·功率合成理论 | 第22-32页 |
| 第三章 单路碳化硅功率放大器的设计 | 第32-67页 |
| ·碳化硅 MESFET 封装器件完整的非线性仿真模型的建立 | 第32-35页 |
| ·功率放大器单路匹配电路设计及整体仿真 | 第35-45页 |
| ·直流工作点扫描 | 第35-36页 |
| ·稳定因子分析 | 第36-37页 |
| ·负载牵引和源牵引 | 第37-39页 |
| ·输入输出匹配电路设计 | 第39-41页 |
| ·单路功率放大器的非线性仿真 | 第41-45页 |
| ·单路功率放大器印制板和腔体设计 | 第45-47页 |
| ·单路功率放大器的装配、调试及测试 | 第47-67页 |
| 第四章 两路合成碳化硅功率放大模块的设计 | 第67-79页 |
| ·功分器/合成器的设计 | 第68-69页 |
| ·功率放大模块设计及整体仿真 | 第69-74页 |
| ·功率放大模块的版图和腔体设计 | 第74-75页 |
| ·两路合成功率放大器的装配、调试及测试 | 第75-79页 |
| 第五章 结论 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第85-86页 |