P型氧化锌薄膜的制备和性能
| 第一章 引言 | 第1-20页 |
| ·ZnO 材料的基本特征 | 第9-11页 |
| ·ZnO 材料的研究进展 | 第11-17页 |
| ·ZnO 的紫外受激发射和电致发光的研究进展 | 第11-15页 |
| ·ZnO 的P 型掺杂的研究进展 | 第15-17页 |
| ·当前ZnO 材料研究中存在的主要问题 | 第17-20页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备技术和表征手段 | 第20-28页 |
| ·ZnO 薄膜的生长设备 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射系统 | 第20-22页 |
| ·真空及氧气退火设备 | 第22页 |
| ·ZnO 薄膜的表征手段 | 第22-28页 |
| ·X-射线衍射谱 | 第22页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第22-23页 |
| ·微区光致发光光谱 | 第23-24页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第24-26页 |
| ·霍尔效应测量 | 第26-28页 |
| 第三章 未掺杂p 型ZnO 薄膜的制备和表征 | 第28-45页 |
| ·未掺杂P 型ZnO 薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·未掺杂P 型ZnO 薄膜的表征 | 第29-35页 |
| ·未掺杂ZnO 薄膜的结构表征 | 第29-32页 |
| ·ZnO 薄膜的成分和Zn、O 化学状态表征 | 第32-35页 |
| ·未掺杂ZnO 薄膜的电学性质的分析.. | 第35-37页 |
| ·未掺杂P 型ZnO 薄膜的光学性质的分析 | 第37-43页 |
| ·透射光谱分析 | 第37-38页 |
| ·光致发光谱分析 | 第38-40页 |
| ·变温光致发光谱分析 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 衬底温度对未掺杂ZnO 的性质的影响 | 第45-53页 |
| ·样品的制备 | 第45页 |
| ·衬底温度对未掺杂ZnO 结构的影响 | 第45-48页 |
| ·衬底温度对未掺杂ZnO 电学性质的影响 | 第48页 |
| ·衬底温度对未掺杂ZnO 光学性质的影响 | 第48-52页 |
| ·吸收与透射光谱分析 | 第48-51页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章N-掺杂p 型ZnO 薄膜的研究 | 第53-69页 |
| ·N-掺杂P 型 ZnO 薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·N-掺杂 P 型ZnO 薄膜的结构分析 | 第54-62页 |
| ·X 射线衍射结果分析 | 第54-59页 |
| ·X 射线光电子谱分析 | 第59-62页 |
| ·N-掺杂P 型 ZnO 薄膜的电学性质分析 | 第62-63页 |
| ·N-掺杂P 型 ZnO 薄膜的光学性质分析 | 第63-65页 |
| ·N-掺杂P 型ZnO 的形成机制的探讨 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 所发文章 | 第75-76页 |
| 摘要 | 第76-79页 |
| Abstract | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 导师及作者简介 | 第85页 |
