| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-34页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第13-14页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金 | 第14-24页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的晶体结构 | 第15-16页 |
| ·ZnO／Zn_(1-x)Mg_xO异质结、超晶格与多量子阱 | 第16-21页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜的p型掺杂研究 | 第21-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO相关器件的研究 | 第22-24页 |
| ·ZnO的p型掺杂研究 | 第24-30页 |
| ·Ⅰ族Li元素 | 第24-25页 |
| ·Ⅴ族N元素 | 第25-29页 |
| ·其它Ⅴ族元素掺杂 | 第29-30页 |
| ·ZnO光电器件的研究 | 第30-32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第三章 实验原理、系统建立与实验过程 | 第34-48页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第34-40页 |
| ·脉冲激光沉积概述 | 第34-36页 |
| ·PLD的基本原理 | 第36-40页 |
| ·PLD实验系统的建立 | 第40-42页 |
| ·薄膜制备的工艺 | 第42-46页 |
| ·靶材烧结 | 第43-44页 |
| ·衬底清洗 | 第44页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第44-46页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第46-48页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜的制备 | 第48-73页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·生长参数对Si(100)上Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第50-61页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第50-55页 |
| ·氧压对薄膜性能的影响 | 第55-57页 |
| ·靶材中Mg含量对薄膜性能的影响 | 第57-61页 |
| ·Si(100)上ZnO／Zn_(1-x)Mg_xO多层结构的制备及其性能 | 第61-70页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO／ZnO／Zn_(1-x)Mg_xO双异质结的生长 | 第62-65页 |
| ·ZnO缓冲层上Zn_(1-x)Mg_xO／ZnO／Zn_(1-x)Mg_xO异质结的生长 | 第65-68页 |
| ·ZnO缓冲层上ZnO／Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱结构的生长 | 第68-70页 |
| ·Li掺杂p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的初步研究 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 Li-N共掺杂p-ZnO薄膜的制备 | 第73-109页 |
| ·引言 | 第73-75页 |
| ·Li-N双受主共掺杂p-ZnO薄膜的生长 | 第75-101页 |
| ·衬底温度对p-ZnO：(Li，N)薄膜性能的影响 | 第75-81页 |
| ·脉冲激光能量对p-ZnO：(Li，N)薄膜性能的影响 | 第81-85页 |
| ·N_2O气压对p-ZnO：(Li，N)薄膜性能的影响 | 第85-90页 |
| ·靶材中Li含量对p-ZnO：(Li，N)薄膜性能的影响 | 第90-99页 |
| ·衬底类型对p-ZnO：(Li，N)薄膜性能的影响 | 第99-101页 |
| ·Li-N共掺p型ZnO薄膜电学性能的稳定性 | 第101-102页 |
| ·ZnO同质p-n结的制备 | 第102-103页 |
| ·Li-N共掺物理机制的初步探讨 | 第103-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 ZnO光电导型紫外探测器的研究 | 第109-117页 |
| ·引言 | 第109页 |
| ·实验过程 | 第109-110页 |
| ·光电导型探测器的原理 | 第110-112页 |
| ·结果分析与讨论 | 第112-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 第七章 结论 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 附录：在读期间论文和专利列表 | 第133-134页 |
