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SiGe HFIC宽带低噪声放大器的研究

第一章 引言第1-14页
   ·低噪声放大器的应用第9-10页
   ·当前国内外的研究现状第10-12页
   ·论文主要难点及工作第12-13页
   ·论文的内容安排第13-14页
第二章 低噪声放大器的基本原理第14-22页
   ·微波放大器的噪声理论第14-16页
   ·史密斯圆图第16-18页
     ·网络匹配阻抗圆第17-18页
     ·网络匹配导纳圆第18页
   ·低噪声放大器的功率增益分析第18-21页
     ·转换功率增益第18-19页
     ·工作功率增益第19-20页
     ·可用功率增益第20-21页
   ·小结第21-22页
第三章 SIGE 器件分析与设计第22-30页
   ·SIGE 异质结双极晶体管第22-23页
   ·SIGE 器件的特点第23-26页
     ·SiGe HBT 的直流参数分析第23-24页
     ·SiGe HBT 的频率第24-25页
     ·SiGe HBT 的噪声特性第25-26页
     ·SiGe HBT 噪声计算第26页
   ·SIGE HBT 的电路模型分析第26-28页
   ·SIGE 器件设计第28-29页
     ·晶体管图形结构设计第28页
     ·横向参数设计第28-29页
   ·小结第29-30页
第四章 低噪声放大器的方案选择及分析第30-44页
   ·差分放大器的设计分析第30-33页
     ·差分放大器的特点第30页
     ·电路设计分析第30-32页
     ·单端与差分低噪声放大器功能比较第32-33页
   ·平衡式的低噪声放大器的分析第33-40页
     ·平衡放大器的结构第33-34页
     ·定向耦合器第34-38页
     ·平衡放大器匹配、噪声和增益性能分析第38-40页
   ·反馈放大器的分析第40-43页
     ·负反馈可以扩展放大器的带宽第41页
     ·负反馈可以减小非线性失真第41-42页
     ·负反馈可以改变放大器的输入输出阻抗第42-43页
   ·小结第43-44页
第五章 SIGE 低噪声放大器的设计与仿真第44-62页
   ·SIGE 低噪声放大器的分析设计第44-47页
     ·常用CE/CB/Cascode 电路架构第45-46页
     ·共射、共基和Cascode 性能特点第46-47页
     ·SiGe 低噪声放大器电路结构第47页
   ·NEC5761 器件的选择第47-51页
     ·直流特性第48-49页
     ·噪声特性第49页
     ·增益特点第49-50页
     ·稳定性分析第50-51页
   ·SIGE 低噪声放大器电路实现第51-61页
     ·电路设计第51-57页
     ·电路的结构第57-59页
     ·电路的性能仿真优化第59-61页
   ·小结第61-62页
第六章 SIGE 低噪声放大器工艺实现与版图设计第62-67页
   ·无源器件第62-64页
     ·电阻器件第62-63页
     ·电容器件第63页
     ·电感器件第63-64页
   ·有源器件制作特点及工艺流程第64-65页
   ·SIGE 低噪声放大器的版图设计第65-67页
结论第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-73页
附录第73-76页
攻硕期间取得的成果第76页

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