| 摘 要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT(英文摘要) | 第5-12页 |
| 第一章 引 言 | 第12-31页 |
| ·MEMS 技术概述 | 第12-16页 |
| ·MEMS的发展历史 | 第12-13页 |
| ·从元件到系统 | 第13-14页 |
| ·微机械加工的基本技术 | 第14-16页 |
| ·红外探测器及其阵列的概述 | 第16-28页 |
| ·红外探测器的分类与比较 | 第16-19页 |
| ·红外探测器的主要性能指标 | 第19-20页 |
| ·室温红外探测器的研究进展 | 第20-27页 |
| ·室温红外探测器的发展趋势与应用前景 | 第27-28页 |
| ·本论文的研究目的及意义 | 第28-31页 |
| ·室温红外探测器的热敏感元件的研究 | 第28-29页 |
| ·一种新型的MEMS-IC集成工艺的研究 | 第29页 |
| ·两种测辐射热计室温红外探测器的设计和实现 | 第29-30页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管室温红外探测的设计和实现 | 第30-31页 |
| 第二章 室温红外探测器的热敏感元件研究 | 第31-59页 |
| ·半导体热敏薄膜电阻 | 第31-44页 |
| ·半导体薄膜电阻温度特性 | 第31-32页 |
| ·a-Si薄膜热敏电阻 | 第32-39页 |
| ·a-Si薄膜及其制备方法 | 第32-33页 |
| ·a-Si电导率的测试方法 | 第33-34页 |
| ·a-Si电导率与淀积条件的关系 | 第34-35页 |
| ·a-Si含氢量与淀积条件的关系 | 第35-37页 |
| ·a-Si薄膜的电阻温度特性 | 第37-39页 |
| ·PolySiGe薄膜热敏电阻 | 第39-44页 |
| ·PolySiGe薄膜及其制备方法 | 第39-40页 |
| ·PolySiGe薄膜的微结构分析 | 第40-41页 |
| ·PolySiGe薄膜的热处理 | 第41-43页 |
| ·PolySiGe薄膜的电阻温度特性 | 第43-44页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管 | 第44-57页 |
| ·a-Si TFT的结构 | 第45页 |
| ·沟道电流温度特性分析 | 第45-47页 |
| ·a-Si TFT的薄膜体系 | 第47-51页 |
| ·a-SiNx绝缘栅介质层 | 第48-49页 |
| ·本征a-Si有源层 | 第49-50页 |
| ·p+-a-Si电极接触层 | 第50页 |
| ·SiON钝化层 | 第50-51页 |
| ·a-Si TFT的制作 | 第51-52页 |
| ·a-Si TFT的电学特性 | 第52-55页 |
| ·沟道电流温度特性的测试 | 第55-57页 |
| ·几种热敏元件的比较 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 基于多孔硅微机械加工技术的MEMS-IC集成工艺研究 | 第59-80页 |
| ·多孔硅基本理论 | 第59-61页 |
| ·多孔硅生长特性 | 第61-63页 |
| ·HF浓度的影响 | 第62页 |
| ·电流密度的影响 | 第62-63页 |
| ·硅片电阻率的影响 | 第63页 |
| ·中阻硅衬底上选择性制备多孔硅 | 第63-69页 |
| ·重掺杂法 | 第64-66页 |
| ·直接阳极氧化法 | 第66-69页 |
| ·基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺技术 | 第69-79页 |
| ·集成工艺基本方案 | 第69-72页 |
| ·关键工艺 | 第72-79页 |
| ·多孔硅的清洗 | 第72-74页 |
| ·多孔硅的封闭保护 | 第74-75页 |
| ·MOS关键工艺对封闭多孔硅的影响 | 第75-77页 |
| ·多孔硅释放工艺 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 基于热敏电阻的室温红外探测器的研究 | 第80-114页 |
| ·微机械测辐射热计原理和性能参数 | 第80-86页 |
| ·基本工作原理 | 第80-81页 |
| ·性能参数 | 第81-86页 |
| ·微机械测辐射热计的设计与分析 | 第86-97页 |
| ·测辐射热计的薄膜结构 | 第86-87页 |
| ·结构参数与灵敏度的解析模型 | 第87-90页 |
| ·有限元分析模型 | 第90-91页 |
| ·结构参数与性能的关系 | 第91-95页 |
| ·优化结构的FEA分析 | 第95-97页 |
| ·集成式微机械测辐射热计的制作 | 第97-104页 |
| ·工艺设计 | 第97-102页 |
| ·a-Si测辐射热计的工艺设计 | 第97-100页 |
| ·PolySiGe测辐射热计的工艺设计 | 第100-102页 |
| ·版图设计 | 第102-103页 |
| ·流水结果 | 第103-104页 |
| ·微机械测辐射热计的性能测试 | 第104-113页 |
| ·测试系统与方法 | 第104-106页 |
| ·单元器件的性能测试 | 第106-111页 |
| ·基本性能结果 | 第106-107页 |
| ·斩波频率响应 | 第107-109页 |
| ·电源电压对性能的影响 | 第109-111页 |
| ·器件热学参数的测试 | 第111-112页 |
| ·阵列均匀性测试 | 第112-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 第五章 基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的研究 | 第114-146页 |
| ·微机械TFT红外探测器的原理和性能参数 | 第114-117页 |
| ·基本工作原理 | 第114-115页 |
| ·性能参数 | 第115-117页 |
| ·TFT室温红外探测器的设计与分析 | 第117-123页 |
| ·结构设计 | 第117-118页 |
| ·有限元分析模型 | 第118-119页 |
| ·结构参数与性能的关系 | 第119-122页 |
| ·优化结构的FEA分析 | 第122-123页 |
| ·二维阵列电路的设计 | 第123-128页 |
| ·电路工作原理 | 第123-125页 |
| ·信号读出电路 | 第125-126页 |
| ·移位寄存器 | 第126-128页 |
| ·集成式TFT室温红外探测器的制作 | 第128-133页 |
| ·工艺设计 | 第128-130页 |
| ·版图设计 | 第130-131页 |
| ·流水结果 | 第131-133页 |
| ·TFT红外探测器的性能测试 | 第133-145页 |
| ·单元器件的性能测试 | 第133-140页 |
| ·基本性能结果 | 第133-135页 |
| ·斩波频率响应 | 第135-136页 |
| ·栅压对性能的影响 | 第136-138页 |
| ·电源电压对性能的影响 | 第138-140页 |
| ·阵列均匀性测试 | 第140-141页 |
| ·热成像特性测试 | 第141-145页 |
| ·热成像实验基础 | 第141页 |
| ·热成像实验装置 | 第141-142页 |
| ·热成像结果与讨论 | 第142-145页 |
| ·本章小结 | 第145-146页 |
| 第六章 结论 | 第146-150页 |
| ·论文工作主要成果 | 第146-148页 |
| ·论文工作的创新点 | 第148-149页 |
| ·对进一步研究工作的展望 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-157页 |
| 致谢及声明 | 第157-158页 |
| 附录 | 第158-164页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第164-167页 |
