介孔有机锗杂化材料底物的合成
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-40页 |
| ·引言 | 第14-19页 |
| ·介孔材料:使用超分子模板来增大孔的尺寸 | 第19-28页 |
| ·简介 | 第19-20页 |
| ·介孔结构制作的合成工具 | 第20-28页 |
| ·合成策略 | 第20-23页 |
| ·自组装模板 | 第23-28页 |
| ·含硅的结构 | 第28-36页 |
| ·无机网络的形成 | 第30-33页 |
| ·纯硅框架:杂化界面的作用 | 第30-31页 |
| ·掺杂硅和含硅混合的结构 | 第31页 |
| ·杂化化合物 | 第31-33页 |
| ·合成机理 | 第33-36页 |
| ·液晶模板方法 | 第34页 |
| ·合作自组装路线 | 第34页 |
| ·硅酸盐模板相互关系:杂化聚电解质模式 | 第34-36页 |
| ·非硅的介孔结构物质 | 第36-38页 |
| ·选题依据 | 第38-40页 |
| 第2章 实验部分 | 第40-46页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第40-41页 |
| ·试剂与溶剂 | 第40页 |
| ·分析仪器 | 第40-41页 |
| ·实验操作 | 第41-42页 |
| ·丙烯酸类锗化合物的合成 | 第41-42页 |
| ·HGeCl_3的制备 | 第41页 |
| ·丙烯酸类锗化合物的合成 | 第41-42页 |
| ·化合物的表征 | 第42-46页 |
| ·紫外光谱分析 | 第42-43页 |
| ·红外光谱分析 | 第43页 |
| ·核磁共振分析 | 第43页 |
| ·激光解析电离飞行时间质谱分析 | 第43页 |
| ·元素分析 | 第43页 |
| ·锗含量的测定 | 第43-44页 |
| ·坩埚的准备 | 第43-44页 |
| ·测定 | 第44页 |
| ·氯含量的测定 | 第44-46页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第46-54页 |
| ·丙烯酸类锗化合物的表征及讨论 | 第46-53页 |
| ·紫外光谱 | 第46-47页 |
| ·红外光谱 | 第47-50页 |
| ·核磁共振 | 第50-52页 |
| ·激光解析电离飞行时间质谱 | 第52-53页 |
| ·元素分析 | 第53页 |
| ·锗含量的测定 | 第53页 |
| ·氯含量的测定 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-70页 |
| 独创性声明 | 第70页 |
