FRAM用铁电薄膜的制备与性能研究
| 摘 要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引 言 | 第8-22页 |
| ·关于铁电体 | 第8-10页 |
| ·铁电体的分类及研究 | 第10页 |
| ·非挥发性铁电存储器(FRAM)及铁电薄膜 | 第10-16页 |
| ·非挥发性铁电存储器(FRAM)及其研究进展 | 第11-13页 |
| ·铁电薄膜 | 第13-16页 |
| ·铁电薄膜的制备技术及其特点 | 第16-20页 |
| ·溅射法 | 第16-18页 |
| ·激光脉冲闪蒸法(PLA) | 第18页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第18-19页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第19页 |
| ·溶胶－凝胶法(Sol-Gel) | 第19-20页 |
| ·金属有机物分解法(MOD) | 第20页 |
| ·本论文的方案与工艺选择 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜的制备工艺和分析手段 | 第22-29页 |
| ·电极的制备 | 第22-24页 |
| ·射频磁控溅射法制备PZT薄膜 | 第24-25页 |
| ·金属有机物分解法(MOD)制备SBT薄膜 | 第25-28页 |
| ·前驱体溶液的配制 | 第25-26页 |
| ·薄膜的形成 | 第26-28页 |
| ·薄膜微结构的分析方法 | 第28页 |
| ·铁电性能的测试 | 第28-29页 |
| 第三章 PZT的晶化工艺与微结构及铁电性能的关系 | 第29-43页 |
| ·晶化温度对薄膜的影响 | 第29-36页 |
| ·晶化条件对RF1XXX系列薄膜的影响 | 第29-32页 |
| ·晶化条件对RF2XXX系列薄膜的影响 | 第32-36页 |
| ·晶化时间对薄膜晶粒尺寸的影响 | 第36-37页 |
| ·膜厚对薄膜铁电性能的影响 | 第37-38页 |
| ·PZT薄膜优化工艺的探索 | 第38-40页 |
| ·PZT薄膜的抗疲劳性能 | 第40-41页 |
| ·晶化工艺对薄膜外延生长的影响的初步探讨 | 第41-43页 |
| 第四章 SBT薄膜的制备工艺与微结构及性能的关系 | 第43-56页 |
| ·常规炉内晶化温度对薄膜微结构和铁电性能的影响 | 第43-47页 |
| ·退火气氛对薄膜性能的影响 | 第47-49页 |
| ·沉积方式对薄膜性能的影响 | 第49-54页 |
| ·沉积方式不同引起的微结构变化 | 第50-51页 |
| ·三明治结构对薄膜微结构及铁电性能的影响 | 第51-54页 |
| ·PZT与SBT薄膜铁电性能恶化分析 | 第54-56页 |
| 第五章 SBT陶瓷靶的纳米掺杂改性研究 | 第56-61页 |
| ·纳米掺杂SBT陶瓷靶的制备 | 第56-57页 |
| ·纳米掺杂对陶瓷微结构的影响 | 第57-58页 |
| ·掺杂对陶瓷靶电性能的影响 | 第58-61页 |
| 第六章 结 论 | 第61-63页 |
| 参 考 文 献 | 第63-66页 |
| 致 谢 | 第66页 |
