APCVD制备纳米硅复合镶嵌薄膜及其微结构与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-28页 |
| ·纳米复合材料概述 | 第11-15页 |
| ·纳米复合薄膜材料的定义 | 第11-12页 |
| ·纳米镶嵌复合薄膜结构特性 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的优异性能 | 第13-15页 |
| ·纳米材料复合的目的 | 第15页 |
| ·硅基发光材料的研究历程 | 第15-19页 |
| ·硅基发光材料的探索 | 第15-16页 |
| ·发光多孔硅为硅基发光材料研究带来希望 | 第16-17页 |
| ·研究硅基蓝光发射材料的意义 | 第17-18页 |
| ·纳米Si-SiO_x薄膜发光机理的探索 | 第18-19页 |
| ·纳米硅的发光机理 | 第19-22页 |
| ·纳米硅的电子结构 | 第19-20页 |
| ·纳米硅镶嵌复合薄膜发光的理论模型 | 第20-22页 |
| ·量子限制效应发光 | 第20-21页 |
| ·与氧有关的缺陷发光 | 第21页 |
| ·量子限制效应-发光中心复合发光 | 第21-22页 |
| ·其他的一些发光模型 | 第22页 |
| ·硅基光电器件 | 第22-23页 |
| ·纳米复合薄膜的制备方法 | 第23-28页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第23页 |
| ·热蒸发 | 第23-24页 |
| ·高剂量Si离子注入 | 第24页 |
| ·激光烧蚀沉积 | 第24页 |
| ·共溅射法 | 第24-25页 |
| ·自组织生长 | 第25页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第25-28页 |
| ·PCVD | 第25-26页 |
| ·热CVD | 第26-28页 |
| 第三章 实验 | 第28-35页 |
| ·实验设备 | 第28-29页 |
| ·原料 | 第29页 |
| ·实验准备过程 | 第29-30页 |
| ·试样制备过程 | 第30-32页 |
| ·测试方法 | 第32-35页 |
| ·薄膜成分的测试 | 第32-33页 |
| ·薄膜结构的测试 | 第33-34页 |
| ·薄膜的厚度 | 第34页 |
| ·薄膜光透射、反射比的测定 | 第34页 |
| ·薄膜荧光光谱的测定 | 第34-35页 |
| 第四章 纳米硅复合镶嵌薄膜微结构分析 | 第35-57页 |
| ·均匀薄膜样品的制备 | 第35-38页 |
| ·基板温度的分布 | 第35页 |
| ·反应气体气流的分布 | 第35-37页 |
| ·喷头的移动方式和速度 | 第37页 |
| ·载气的采用和流速 | 第37-38页 |
| ·复合镶嵌薄膜的组成与结构 | 第38-43页 |
| ·沉积温度对复合镶嵌薄膜组成和结构的影响 | 第39-41页 |
| ·退火处理对复合薄膜组成和结构的影响 | 第41-43页 |
| ·Raman光谱分析 | 第41页 |
| ·透射电镜结果分析 | 第41-42页 |
| ·高分辨电镜(HREM)结果分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜结构的成因分析 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-57页 |
| 第五章 纳米硅复合镶嵌薄膜光致发光性能的分析 | 第57-64页 |
| ·沉积温度系列 | 第57页 |
| ·退火温度系列 | 第57-58页 |
| ·退火时间系列 | 第58页 |
| ·发光机理的分析 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-64页 |
| 第六章 纳米复合镶嵌薄膜的光学性能分析 | 第64-73页 |
| ·沉积温度对薄膜光学性能的影响 | 第64-66页 |
| ·实验结果 | 第64-65页 |
| ·结果分析 | 第65-66页 |
| ·退火处理对薄膜光学性能的影响 | 第66-68页 |
| ·实验结果 | 第66-67页 |
| ·结果分析 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-73页 |
| 第七章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
