MEMS层叠式微带贴片天线的建模、分析
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1．1 引言 | 第8页 |
| 1．2 MEMS层叠式微带贴片天线 | 第8-10页 |
| 1．2．1 MEMS微带天线的发展前景和研究意义 | 第8-9页 |
| 1．2．2 MEMS层叠式微带贴片天线的模型 | 第9-10页 |
| 1．2．3 时域有限差分法在微带天线分析中的应用 | 第10页 |
| 1．3 课题研究的意义和论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 2 微带天线 | 第12-23页 |
| 2．1 引言 | 第12页 |
| 2．2 微带天线的辐射机理 | 第12-14页 |
| 2．3 微带线特性 | 第14-16页 |
| 2．3．1 微带线的传输模式 | 第14页 |
| 2．3．2 微带线的准静态特性参数 | 第14-15页 |
| 2．3．3 微带线的色散特性 | 第15-16页 |
| 2．4 宽频带微带天线 | 第16-18页 |
| 2．4．1 展宽微带天线频带的技术途径 | 第16页 |
| 2．4．2 几种新型的大带宽微带天线 | 第16-18页 |
| 2．5 微带贴片天线的分析方法 | 第18-23页 |
| 2．5．1 传输线模型法和空腔模型法 | 第18-19页 |
| 2．5．2 微带贴片天线的数值计算方法 | 第19-20页 |
| 2．5．3 天线参数的经验公式计算法 | 第20-23页 |
| 3 FDTD法 | 第23-45页 |
| 3．1 引言 | 第23页 |
| 3．2 FDTD方程 | 第23-33页 |
| 3．2．1 Maxwell方程 | 第23-24页 |
| 3．2．2 微商的差商近似 | 第24-25页 |
| 3．2．3 Yee氏网格 | 第25-26页 |
| 3．2．4 FDTD基本方程 | 第26-29页 |
| 3．2．5 一 种新的FDTD方程 | 第29-31页 |
| 3．2．6 归一化的FDTD方程 | 第31-33页 |
| 3．3 数值稳定性分析 | 第33页 |
| 3．4 误差分析 | 第33-35页 |
| 3．5 吸收边界条件 | 第35-38页 |
| 3．5．1 Mur近似吸收边界条件 | 第35-37页 |
| 3．5．2 超吸收技术 | 第37-38页 |
| 3．5．3 完全匹配层（PML）技术 | 第38页 |
| 3．5．4三 种方法的比较 | 第38页 |
| 3．6 空气-介质交界面的处理 | 第38-39页 |
| 3．7 激励源分析 | 第39-43页 |
| 3．7．1 激励源的类型 | 第39-41页 |
| 3．7．2 激励源的设置 | 第41-42页 |
| 3．7．3 设置激励源的一种新方法 | 第42-43页 |
| 3．8 非均匀网格技术 | 第43页 |
| 3．9 FDTD数值解步骤 | 第43-44页 |
| 3．10 天线特性参数的计算 | 第44-45页 |
| 4 层叠式微带贴片天线 | 第45-49页 |
| 4．1 引言 | 第45页 |
| 4．2 天线结构的设计思路 | 第45-46页 |
| 4．3 利用经验公式计算天线参数 | 第46-48页 |
| 4．4 结果分析 | 第48-49页 |
| 5 FDTD仿真与分析 | 第49-59页 |
| 5．1 引言 | 第49页 |
| 5．2 建立FDTD网格模型 | 第49-50页 |
| 5．3 设置激励源 | 第50-52页 |
| 5．4 吸收边界条件 | 第52-53页 |
| 5．4．1 实施吸收边界条件的必要性 | 第52-53页 |
| 5．4．2 “泾济”的吸收边界条件 | 第53页 |
| 5．5 节约存储空间和计算时间的途径 | 第53-54页 |
| 5．6 电磁场分布 | 第54-56页 |
| 5．7 利用时域结果计算天线特性参数 | 第56-57页 |
| 5．8 结果分析和结论 | 第57-59页 |
| 6 全文总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
