硒化镉（CdSe）单晶体及其核辐射探测器的制备
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 引言 | 第5-10页 |
| 1．1 半导体材料 | 第5页 |
| 1．2 室温半导体探测器材料 | 第5-8页 |
| 1．3 CdSe半导体材料 | 第8-9页 |
| 1．4 CdSe生长方法的研究进展 | 第9-10页 |
| 2 晶体生长 | 第10-28页 |
| 2．1 晶体生长理论 | 第10-15页 |
| 2．1．1 CdSe平衡相图 | 第10-12页 |
| 2．1．2 晶体生长过程 | 第12-15页 |
| 2．2 CdSe单晶体生长 | 第15-23页 |
| 2．2．1 多晶原料的提纯 | 第15-16页 |
| 2．2．2 晶体生长工艺参数 | 第16-21页 |
| 2．2．3 晶体生长工艺规程 | 第21-23页 |
| 2．3 结果测试分析 | 第23-28页 |
| 2．3．1 晶体的完整性 | 第23-26页 |
| 2．3．2 晶体的电学性质 | 第26-28页 |
| 3 CdSe探测器 | 第28-34页 |
| 3．1 探测器晶片的表面处理 | 第28-31页 |
| 3．2 探测器电极的选取 | 第31-32页 |
| 3．3 CdSe探测器的制备 | 第32-34页 |
| 3．3．1 CdSe探测器的制备工艺规程 | 第32页 |
| 3．3．2 CdSe探测器的性能测试 | 第32-34页 |
| 4 结论 | 第34-35页 |
| 5 展望 | 第35-36页 |
| 6 致谢: | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 附件 | 第40页 |
