| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract（英文摘要） | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-14页 |
| 第二章 快闪存储器技术概论 | 第14-31页 |
| 2．1 快闪存储器的电学特性 | 第15-18页 |
| 2．1．1 电容网络模型 | 第16-17页 |
| 2．1．2 快闪存储器的I-V特性 | 第17-18页 |
| 2．2 编程机制 | 第18-24页 |
| 2．2．1 沟道热电子注入 | 第18-20页 |
| 2．2．2 Fowler-Nordheim隧穿效应 | 第20-21页 |
| 2．2．3 带带隧穿 | 第21-23页 |
| 2．2．4 各种编程机制的比较 | 第23-24页 |
| 2．3 快闪存储器的阵列结构 | 第24-27页 |
| 2．3．1 NAND | 第25-26页 |
| 2．3．2 NOR | 第26页 |
| 2．3．3 DINOR | 第26-27页 |
| 2．3．4 DuSNOR | 第27页 |
| 2．3．5 NOR和NAND结构比较 | 第27页 |
| 2．4 快闪存储器技术的发展趋势和挑战 | 第27-31页 |
| 第三章 源极诱导带带隧穿热电子注入快闪存储器设计 | 第31-61页 |
| 3．1 SIBE Flash存储器的设计和开发流程 | 第32-35页 |
| 3．2 SIBE Flash存储器的单元结构和阵列结构设计 | 第35-41页 |
| 3．2．1 SIBE单元结构设计 | 第35-36页 |
| 3．2．2 SIBE存储单元的编程操作 | 第36页 |
| 3．2．3 SIBE存储单元的擦除操作 | 第36-38页 |
| 3．2．4 SIBE存储单元的双极增强读操作 | 第38-39页 |
| 3．2．5 阵列结构设计 | 第39-41页 |
| 3．3 单元工艺设计及模拟 | 第41-44页 |
| 3．4 器件编程特性和读特性模拟 | 第44-53页 |
| 3．4．1 擦除特性模拟 | 第44-45页 |
| 3．4．2 编程特性模拟 | 第45-52页 |
| 3．4．3 读特性模拟 | 第52-53页 |
| 3．5 单元工艺优化 | 第53-59页 |
| 3．6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 SIBE快闪存储器集成工艺设计及开发 | 第61-81页 |
| 4．1 SIBE快闪存储器集成工艺设计 | 第61-67页 |
| 4．2 关键工艺开发 | 第67-74页 |
| 4．2．1 Triple-Well工艺 | 第67-69页 |
| 4．2．2 浮栅多晶工艺 | 第69-71页 |
| 4．2．3 ONO生长工艺 | 第71-74页 |
| 4．3 CMOS工艺 | 第74-79页 |
| 4．3．1 CMOS双栅氧工艺 | 第75-76页 |
| 4．3．2 高低压CMOS特性研究 | 第76-79页 |
| 4．4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 SIBE快闪存储器编程特性及可靠性研究 | 第81-106页 |
| 5．1 存储单元特性研究 | 第83-97页 |
| 5．1．1 擦除特性研究 | 第83页 |
| 5．1．2 编程特性研究 | 第83-88页 |
| 5．1．3 读特性研究 | 第88-91页 |
| 5．1．4 SIBE编程的自收敛特性研究 | 第91-97页 |
| 5．2 SIBE快闪存储器可靠性研究 | 第97-103页 |
| 5．2．1 SIBE快闪存储器耐久性研究 | 第97-99页 |
| 5．2．2 SIBE快闪存储器串扰特性研究 | 第99-103页 |
| 5．3 本章小结 | 第103-106页 |
| 第六章 结论 | 第106-108页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
