| §1 绪论 | 第1-12页 |
| §1．1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的发展和应用 | 第6-7页 |
| §1．2 Si作为衬底的意义 | 第7页 |
| §1．3 Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体所存在的问题及解决办法 | 第7-8页 |
| §1．4 国内外研究现状及论文的主要研究内容 | 第8-12页 |
| §2 材料生长研究的实验手段 | 第12-26页 |
| §2．1 材料生长制备系统（MOCVD） | 第12-15页 |
| §2．2 外延片的质量检测与光谱分析 | 第15-26页 |
| §3 Ⅱ-Ⅵ族材料生长方法的对比研究 | 第26-48页 |
| §3．1 氢终止方法的研究 | 第26-27页 |
| §3．2 氮化法的研究 | 第27-28页 |
| §3．3 等离子体轰击方法的研究 | 第28-30页 |
| §3．3．1 以MOCVD技术N-plasma轰击方法在Si衬底上生长ZnTe的研究 | 第28-30页 |
| §3．4 两步生长法的研究 | 第30-33页 |
| §3．5 复合法的研究 | 第33-48页 |
| §3．5．1 利用PECVD技术在Si衬底上生长ZnO的研究 | 第34-43页 |
| §3．5．2 利用MOCVD技术以ZnO作为缓冲层在Si衬底上生长ZnSe薄膜 | 第43-48页 |
| §4 结论 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |