立方氮化硼薄膜的汽相成核与生长研究
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 立方氮化硼的物性及其应用 | 第8-15页 |
| 第一节 引言 | 第8页 |
| 第二节 氮化硼的结构 | 第8页 |
| 第三节 六角氮化硼 | 第8-10页 |
| 3．1 六角氮化硼结构 | 第8-9页 |
| 3．2 制备 | 第9页 |
| 3．3 物性 | 第9-10页 |
| 3．4 应用 | 第10页 |
| 第四节 立方氮化硼 | 第10-15页 |
| 4．1 立方氮化硼结构 | 第10-11页 |
| 4．2 性质和应用 | 第11-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 立方氮化硼薄膜的制备 | 第15-23页 |
| 第一节 立方氮化硼薄膜的合成技术 | 第15-16页 |
| 第二节 立方氮化硼薄膜的生长机理模型 | 第16-19页 |
| 2．1 实验结果总结 | 第16-17页 |
| 2．2 生长模型 | 第17-19页 |
| 第三节 目前面临的问题 | 第19-23页 |
| 3．1 粘附性问题 | 第19-20页 |
| 3．2 非立方相界面层的存在 | 第20页 |
| 3．3 沉积速率和薄膜品质 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第三章 射频溅射沉积立方氮化硼薄膜 | 第23-43页 |
| 第一节 射频溅射的原理与应用 | 第23-28页 |
| 1．1 溅射原理与机制 | 第23-25页 |
| 1．2 溅射特点和应用 | 第25-26页 |
| 1．3 溅射的类型 | 第26页 |
| 1．4 射频溅射 | 第26-28页 |
| 第二节 射频溅射系统 | 第28-30页 |
| 第三节 实验过程 | 第30-33页 |
| 3．1 衬底清洗 | 第30页 |
| 3．2 样品制备 | 第30-31页 |
| 3．3 成份鉴定 | 第31-33页 |
| 第四节 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 4．1 温度的影响 | 第33-34页 |
| 4．2 衬底的表面清洁度的影响 | 第34页 |
| 4．3 衬底偏压的影响 | 第34-37页 |
| 4．3．1 偏压对BN薄膜中立方相含量的影响 | 第34-36页 |
| 4．3．2 偏压对BN薄膜的沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| 第五节 两步生长法制备c-BN薄膜 | 第37-43页 |
| 5．1 成核预处理对BN薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 5．1．1 高偏压的作用 | 第38页 |
| 5．1．2 低温的作用 | 第38-39页 |
| 5．2 生长阶段温度、偏压对薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 5．2．1 温度的影响 | 第39页 |
| 5．2．2 偏压的影响 | 第39-40页 |
| 5．3 两步生长中温度与偏压的匹配 | 第40-41页 |
| 5．4 结论 | 第41页 |
| 5．5 对实验操作的一些体会 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 电子回旋共振CVD合成BN薄膜 | 第43-70页 |
| 第一节 微波ECR等离子体原理及其应用 | 第43-48页 |
| 1．1 微波等离子体概念 | 第43-45页 |
| 1．2 微波电子回旋共振原理 | 第45页 |
| 1．3 微波ECR等离子体特点 | 第45页 |
| 1．4 ECR等离子体的应用 | 第45-46页 |
| 1．5 影响ECR等离子体密度的因素 | 第46页 |
| 1．6 影响ECR等离子体均匀性的因素 | 第46-48页 |
| 第二节 ECR CVD实验装置系统 | 第48-52页 |
| 2．1 微波系统 | 第48-49页 |
| 2．2 ECR CVD系统的结构简图 | 第49-52页 |
| 第三节 等离子体诊断 | 第52-56页 |
| 3．1 等离子体诊断原理 | 第52页 |
| 3．2 等离子体参量的计算 | 第52-56页 |
| 第四节 结果与讨论 | 第56-70页 |
| 4．1 热丝的影响 | 第56-57页 |
| 4．2 衬底偏压的影响 | 第57-59页 |
| 4．3 c-BN薄膜晶粒大小的计算 | 第59-62页 |
| 4．4 BN薄膜中的化学配比 | 第62-63页 |
| 4．5 BN薄膜的拉曼光谱 | 第63-65页 |
| 4．6 BN薄膜的原子力显微镜表征 | 第65-66页 |
| 4．7 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第五章 总结 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
