摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
1 绪论 | 第11-26页 |
·铋层状材料概述 | 第11-16页 |
·晶体结构 | 第11-12页 |
·自发极化 | 第12-14页 |
·畴结构及极化反转微观过程 | 第14-16页 |
·铋层状结构材料研究现状 | 第16-18页 |
·SrBi_2Nb_2O_9 基(m=2) | 第16页 |
·Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)基(m=3) | 第16-17页 |
·MBi_4Ti_4O_(15) 基(m=4) | 第17-18页 |
·(Na_(0.5)Bi_(0.5))Bi_4Ti_4O_(15) 基(m=4) | 第18页 |
·一些典型铋层状结构铁电单晶的特性 | 第18-20页 |
·铋层状材料应用研究热点 | 第20-25页 |
·铁电储存器 | 第20-23页 |
·压电元器件 | 第23-25页 |
·课题的提出与研究思路 | 第25-26页 |
2 实验方案设计与研究方法 | 第26-32页 |
·实验原料 | 第26-27页 |
·陶瓷样品的制备 | 第27-29页 |
·陶瓷样品的制备流程 | 第27-29页 |
·实验设备及器材 | 第29页 |
·陶瓷样品的结构和性能测试手段 | 第29-32页 |
·相结构测试 | 第29页 |
·扫描电镜照片形貌表征 | 第29页 |
·介电温度特性测试 | 第29-30页 |
·介电频率特性测试 | 第30页 |
·电阻率测试 | 第30-31页 |
·耐压特性测试 | 第31页 |
·铁电性能测试 | 第31页 |
·压电性能测试 | 第31-32页 |
3 离子取代对PBBI_2NB_2O_9 基铋层状陶瓷改性研究 | 第32-48页 |
·SR~(2+)取代改性研究 | 第33-40页 |
·X 射线衍射分析 | 第33-34页 |
·扫描电镜分析 | 第34-35页 |
·烧结温度特性研究 | 第35-36页 |
·介电特性研究 | 第36-39页 |
·铁电特性研究 | 第39-40页 |
·小结 | 第40页 |
·BA~(2+)取代改性研究 | 第40-48页 |
·X 射线衍射分析 | 第40-42页 |
·室温下PBN-Ba0.2 陶瓷介电、压电参数 | 第42页 |
·PBN-Ba0.2 陶瓷介电弛豫机制探讨 | 第42-46页 |
·铁电特性研究 | 第46-47页 |
·小结 | 第47-48页 |
4 NA_(0.5)BI_(4.5)TI_4O_(15) 基固溶体系相结构与性能优化研究 | 第48-61页 |
·BNBT 陶瓷X 衍射分析 | 第49-51页 |
·烧结前X 射线衍射结果 | 第49页 |
·烧结后X 射线衍射结果 | 第49-51页 |
·BNBT 陶瓷扫描电镜分析 | 第51-53页 |
·BNBT 陶瓷的介电特性 | 第53-59页 |
·室温下的介电特性 | 第53-55页 |
·介电性能随温度的变化规律 | 第55-59页 |
·BNBT 陶瓷的压电特性 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
5 材料组成对含钛铋层状结构和性能影响的机理研究 | 第61-83页 |
·X 射线衍射分析 | 第62-68页 |
·样品的合成机理及XRD 图谱标定 | 第62-67页 |
·m 值变化对晶体结构的影响 | 第67-68页 |
·扫描电镜分析 | 第68-71页 |
·介电温度特性研究 | 第71-78页 |
·Ca_(m-3)Bi_4Ti_mO_(3m+3)(m=3、4、5、6)系列样品的温度特性 | 第71-72页 |
·Ba_(m-3)Bi_4Ti_mO_(3m+3)(m=4、5、6)系列样品的温度特性 | 第72-74页 |
·基于随机场理论对弥散特征的讨论 | 第74-76页 |
·居里温度随m 值变化的机理研究 | 第76-78页 |
·频率对系列样品介电特性的影响 | 第78-79页 |
·系列样品的铁电特性 | 第79-81页 |
·本章小结 | 第81-83页 |
6 结论和展望 | 第83-85页 |
·全文工作总结 | 第83页 |
·主要创新点 | 第83-84页 |
·展望 | 第84-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-91页 |
附录 | 第91-92页 |