| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 主要符号对照表 | 第18-20页 |
| 第一章 引言 | 第20-38页 |
| 1.1 高电荷态离子半衰期测量的意义 | 第22-23页 |
| 1.2 高电荷态离子半衰期测量的历史 | 第23-25页 |
| 1.3 高电荷态放射性核素的产生与分离 | 第25-29页 |
| 1.3.1 放射性核素的产生 | 第25-27页 |
| 1.3.2 放射性核素在线分离和同位素分离技术 | 第27-29页 |
| 1.4 基于HIRFL-CSR的等时性质量谱仪 | 第29-34页 |
| 1.4.1 储存环质量谱仪的工作原理 | 第29-30页 |
| 1.4.2 HIRFL-CSR等时性质量谱仪装置 | 第30-34页 |
| 1.5 全剥离离子~(94m)Ru~(44+)的质量和半衰期测量实验 | 第34-38页 |
| 1.5.1 本次实验的动机 | 第34-36页 |
| 1.5.2 实验过程 | 第36-38页 |
| 第二章 半衰期及误差计算方法 | 第38-58页 |
| 2.1 概述 | 第38-40页 |
| 2.2 模拟产生衰变时刻 | 第40页 |
| 2.3 直接拟合法 | 第40-42页 |
| 2.4 对数坐标法 | 第42-45页 |
| 2.5 极大似然法 | 第45-52页 |
| 2.5.1 极大似然法(一) | 第45-51页 |
| 2.5.2 极大似然法(二) | 第51-52页 |
| 2.6 区间估计法 | 第52-54页 |
| 2.7 其他计算半衰期的方法 | 第54-58页 |
| 2.7.1 平均寿命法 | 第55-56页 |
| 2.7.2 两点计算法 | 第56-58页 |
| 第三章 数据处理一: 质量测量 | 第58-84页 |
| 3.1 离子循环周期的提取 | 第58-67页 |
| 3.1.1 原始信号及其特征 | 第58-61页 |
| 3.1.2 原始信号平滑降噪 | 第61-62页 |
| 3.1.3 基准电平的确定 | 第62-63页 |
| 3.1.4 信号定时 | 第63-65页 |
| 3.1.5 循环周期的提取 | 第65-67页 |
| 3.2 离子鉴别 | 第67-69页 |
| 3.3 修正磁场晃动的影响 | 第69-74页 |
| 3.4 质量刻度 | 第74-79页 |
| 3.4.1 质量刻度方法 | 第74-78页 |
| 3.4.2 质量刻度结果 | 第78-79页 |
| 3.5 20μs内的质量 | 第79-84页 |
| 第四章 数据处理二: 半衰期测量 | 第84-104页 |
| 4.1 衰变模拟 | 第84-87页 |
| 4.2 衰变事例的确定 | 第87-92页 |
| 4.2.1 平均循环周期法 | 第87-90页 |
| 4.2.2 残差法 | 第90-92页 |
| 4.3 衰变时刻的提取 | 第92-97页 |
| 4.3.1 平均循环周期提取法 | 第92页 |
| 4.3.2 残差提取法 | 第92-97页 |
| 4.4 灵敏区间的选取 | 第97-98页 |
| 4.5 衰变时刻误差的确定 | 第98-99页 |
| 4.6 半衰期的计算 | 第99-104页 |
| 第五章 实验结果及讨论 | 第104-108页 |
| 5.1 N=50的同中子数链的系统性的讨论 | 第104-107页 |
| 5.2 检验内转换系数理论 | 第107页 |
| 5.3 等时性模式下的IMS半衰期测量的范围 | 第107-108页 |
| 第六章 总结和展望 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-118页 |
| 附录A Fortran模拟代码 | 第118-120页 |
| A.1 模拟产生衰变时刻的代码 | 第118-120页 |
| 附录B 公式推导 | 第120-122页 |
| B.1 半衰期的误差公式推导 | 第120-121页 |
| B.2 指数分布函数平均值μ和方差σ~2推导 | 第121-122页 |
| 附录C 方差推导 | 第122-124页 |
| 附录D 衰变概率 | 第124-126页 |
| D.1 (0,17μs)内的衰变概率 | 第124页 |
| D.2 (170μs,200μs)内的衰变概率 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第128-129页 |