致谢 | 第1-6页 |
中文摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-82页 |
·液晶 | 第14-18页 |
·液晶的概念 | 第14-15页 |
·液晶的分类以及相结构 | 第15-18页 |
·盘状液晶 | 第18-27页 |
·盘状液晶的分类 | 第19页 |
·盘状液晶的相结构 | 第19-27页 |
·六方柱状相Col_h | 第21-23页 |
·四方柱状相Col_r | 第23-25页 |
·倾斜柱状相(Col_(ob)) | 第25页 |
·盘状向列相(N_D相) | 第25-26页 |
·柱状向列相(N_c) | 第26页 |
·层状相D_L | 第26-27页 |
·苯并菲类盘状液晶 | 第27-45页 |
·苯并菲衍生物的合成方法 | 第28-35页 |
·苯并菲类小分子盘状液晶 | 第35-39页 |
·苯并菲类高分子盘状液晶 | 第39-44页 |
·苯并菲类盘状液晶的光电性能 | 第44-45页 |
·超支化液晶聚合物 | 第45-47页 |
·杯芳烃与碗状液晶 | 第47-49页 |
·盘状液晶的取向方法 | 第49-54页 |
·盘状液晶的取向方法以及手段 | 第49-54页 |
·取向度的定义与测试方法 | 第54页 |
·盘状液晶的光电性能测试 | 第54-60页 |
·电导和光电导性测试机理 | 第54-55页 |
·采用时间飞程谱与载流子迁移率的测试 | 第55-56页 |
·采用微波谱法与载流子迁移率的测试 | 第56-57页 |
·盘状液晶的光电性能测试模型的建立 | 第57-60页 |
·盘状液晶的应用 | 第60-66页 |
·本论文研究的内容 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-82页 |
第二章 实验材料、仪器设备以及液晶性能表征手段 | 第82-89页 |
·实验材料与仪器设备 | 第82-84页 |
·实验材料 | 第82-84页 |
·实验的设备和仪器 | 第84页 |
·化学结构表征 | 第84页 |
·液晶性能表征 | 第84页 |
·液晶性能的表征手段 | 第84-87页 |
·热分析(difference scanning calorimetry) | 第85-86页 |
·偏光显微镜(POM) | 第86页 |
·x射线衍射(X-Ray diffraction) | 第86-87页 |
·光导器件的制备以及光电性能表征 | 第87-88页 |
·纳米管制备与纳米管性能测试手段 | 第88页 |
参考文献 | 第88-89页 |
第三章 一种具有醚酯混合侧链的苯并菲盘状液晶的合成以及液晶性能研究 | 第89-101页 |
·引言 | 第89-90页 |
·2,7-二乙酯基-3,6,10,11-四戊氧基苯并菲(TPE)的合成 | 第90-92页 |
·合成路线 | 第90-91页 |
·合成步骤 | 第91-92页 |
·结果与讨论 | 第92-95页 |
·2,7-二乙酯基-3,6,10,11-四戊氧基苯并菲的合成 | 第92-93页 |
·液晶性能表征 | 第93-95页 |
·示差扫描量热分析结果 | 第93-94页 |
·POM偏光显微镜结果 | 第94页 |
·X射线衍射结果 | 第94-95页 |
·2,7-二乙酯-3,6,10,11-四戊氧基苯并菲的退火取向研究 | 第95-99页 |
·退火处理后的TPE薄膜的偏光显微镜观察结果 | 第95-97页 |
·退火处理后的TPE薄膜的X射线衍射结果 | 第97-99页 |
·结论 | 第99页 |
参考文献 | 第99-101页 |
第四章 盘状-棒状液晶的合成以及液晶性能的表征 | 第101-150页 |
·引言 | 第101-102页 |
·实验 | 第102-115页 |
·合成路线 | 第102-103页 |
·材料合成 | 第103-115页 |
·苯并菲功能性分子的合成 | 第103-104页 |
·溴代烷氧基氰基联苯的合成 | 第104-107页 |
·盘状-棒状液晶的合成 | 第107-115页 |
·盘状-棒状分子(RDn)的液晶性能 | 第115-139页 |
·退火处理对盘状-棒状液晶的液晶性能的影响 | 第139-145页 |
·盘状-棒状液晶分子的液晶相行为的一般趋势 | 第145-146页 |
·TNF诱导盘状液晶取向 | 第146-148页 |
·结论 | 第148-149页 |
参考文献 | 第149-150页 |
第五章 超支化苯并菲液晶的合成以及液晶性能表征 | 第150-167页 |
·引言 | 第150页 |
·实验部分 | 第150-154页 |
·超支化聚合物的合成路线 | 第150-153页 |
·材料合成 | 第153-154页 |
·结果与讨论 | 第154-165页 |
·红外光谱 | 第154-157页 |
·苯并菲超支化聚醚的红外光谱 | 第154-156页 |
·苯并菲超支化聚酯的红外光谱 | 第156-157页 |
·核磁~1HNMR分析和支化度(DB)的计算 | 第157-160页 |
·苯并菲超支化聚醚的核磁结果 | 第157页 |
·苯并菲超支化聚酯的核磁结果 | 第157-158页 |
·苯并菲超支化聚酯的支化度的计算 | 第158-160页 |
·超支化化合物的分子量及其分布 | 第160页 |
·苯并菲超支化聚醚的液晶性能 | 第160-162页 |
·偏光显微镜观察结果 | 第160-161页 |
·示差扫描量热分析的结果 | 第161-162页 |
·苯并菲超支化聚酯的液晶性能 | 第162-165页 |
·偏光显微镜观察结果 | 第162-164页 |
·采用示差扫描量热分析的结果 | 第164-165页 |
·结论 | 第165-166页 |
参考文献 | 第166-167页 |
第六章 杯芳烃-苯并菲化合物合成及液晶性能表征 | 第167-181页 |
·引言 | 第167页 |
·材料合成 | 第167-173页 |
·实验设计路线 | 第169页 |
·材料合成 | 第169-173页 |
·结果与讨论 | 第173-179页 |
·25,27-二羟基-26,28-二氧基戊酸杯[4]芳烃的合成 | 第173-175页 |
·25,27-二羟基杯[4]芳烃-26,28-二(氧基戊酸)苯并菲酯的液晶性能 | 第175-177页 |
·3,6,7,10,l 1.五戊氧基-2-乙酰基苯并菲的液晶性能表征 | 第177-179页 |
·结论 | 第179页 |
参考文献 | 第179-181页 |
第七章 盘状液晶的光电传输性能研究 | 第181-194页 |
·引言 | 第181页 |
·实验 | 第181-185页 |
·盘状液晶苯并菲材料的化学结构 | 第181-183页 |
·实验步骤 | 第183-185页 |
·薄膜的制备 | 第183页 |
·载流子迁移率的测试 | 第183-184页 |
·载流子迁移率的计算 | 第184-185页 |
·结果与讨论 | 第185-191页 |
·六戊醚取代苯并菲的载流子迁移率 | 第185-187页 |
·2,7-二乙酯基-3,6,10,11-四戊氧基苯并菲的载流子迁移率 | 第187-188页 |
·超支化苯并菲聚酯与六戊醚取代苯并菲复合膜的载流子迁移率 | 第188-190页 |
·器件构造对电荷载流子传输的影响 | 第190页 |
·盘状液晶分子排列的有序性对电荷载流子传输的影响 | 第190-191页 |
·结论 | 第191-192页 |
参考文献 | 第192-194页 |
第八章 盘状液晶/PMMA复合纳米管制作以及在受限空间中取向 | 第194-215页 |
·引言 | 第194-195页 |
·实验 | 第195-200页 |
·纳米管的制备 | 第195-200页 |
·Al_2O_3纳米模板的制作 | 第196-199页 |
·PMMA/HAT5薄膜的制备 | 第199页 |
·PMMA/HAT5纳米管的制备 | 第199页 |
·纳米管的性能测试和表征 | 第199-200页 |
·结果分析与讨论 | 第200-212页 |
·三氧化二铝模板的制备 | 第200-205页 |
·氧化方法对成膜的影响 | 第200-202页 |
·抛光对成膜的影响 | 第202页 |
·温度对成膜的影响 | 第202页 |
·氧化电压对成膜的影响 | 第202页 |
·氧化时间对成膜的影响 | 第202-204页 |
·膜的剥离方法对成膜的影响 | 第204页 |
·磷酸扩孔对成膜的影响 | 第204-205页 |
·HAT5的液晶相行为表征 | 第205-208页 |
·HAT5的热学性能DSC表征 | 第206页 |
·HAT5的偏光显微镜研究 | 第206-207页 |
·HAT5的XRD的性能表征 | 第207-208页 |
·HAT5/PMMA薄膜的取向研究 | 第208-209页 |
·纳米管性能测试 | 第209-212页 |
·扫描电子显微镜结果 | 第209-211页 |
·X射线衍射分析 | 第211-212页 |
·结论 | 第212页 |
参考文献 | 第212-215页 |
9 结论与展望 | 第215-218页 |
·结论 | 第215-217页 |
·工作展望 | 第217-218页 |
附录 核磁氢谱和红外图谱 | 第218-245页 |
作者简历 | 第245-248页 |
学位论文数据集 | 第248页 |